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1. (WO2005062392) DEL A BASE DE GAN ET SON PROCEDE DE FABRICATION AU MOYEN DE LA TECHNIQUE DE GRAVURE AU SAPHIR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international

N° de publication : WO/2005/062392 N° de la demande internationale : PCT/KR2004/003424
Date de publication : 07.07.2005 Date de dépôt international : 23.12.2004
CIB :
H01L 33/20 (2010.01) ,H01L 33/32 (2010.01) ,H01L 33/46 (2010.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33
Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
02
caractérisés par les corps semi-conducteurs
20
ayant une forme particulière, p.ex. substrat incurvé ou tronqué
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33
Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
02
caractérisés par les corps semi-conducteurs
26
Matériaux de la région électroluminescente
30
contenant uniquement des éléments du groupe III et du groupe V de la classification périodique
32
contenant de l'azote
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33
Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
44
caractérisés par les revêtements, p.ex. couche de passivation ou revêtement antireflet
46
Revêtement réfléchissant, p.ex. réflecteur de Bragg en diélectriques
Déposants :
ITSWELL CO. LTD. [KR/KR]; 9-4 Block, Ochang Scientific Industrial Complex 1115-4, Namchon-ri, Oksan-myeon, Cheongwon-gun Chungbuk 363-911, KR (AllExceptUS)
KIM, Seong-Jin [KR/KR]; KR (UsOnly)
CHOI, Yong-Seok [KR/KR]; KR (UsOnly)
KIM, Chang-Yeon [KR/KR]; KR (UsOnly)
HAN, Young-Heon [KR/KR]; KR (UsOnly)
YU, Soon-Jae [KR/KR]; KR (UsOnly)
Inventeurs :
KIM, Seong-Jin; KR
CHOI, Yong-Seok; KR
KIM, Chang-Yeon; KR
HAN, Young-Heon; KR
YU, Soon-Jae; KR
Mandataire :
LEE, Keon-Cheol; KEON Patent & Law Office Sunggok Bldg., 4F 823-22 Yeoksam-dong Gangnam-gu Seoul 135-080, KR
Données relatives à la priorité :
10-2003-009667424.12.2003KR
Titre (EN) GAN-BASED LED AND MANUFACTURING METHOD OF THE SAME UTILIZING THE TECHNIQUE OF SAPPHIRE ETCHING
(FR) DEL A BASE DE GAN ET SON PROCEDE DE FABRICATION AU MOYEN DE LA TECHNIQUE DE GRAVURE AU SAPHIR
Abrégé :
(EN) The present invention relates to a nitride-based semiconductor LED, which is designed to reduce its size, to increase the thickness of a sapphire base substrate which is lapped for the purpose of device-breaking, to improve light extraction efficiency, to form a uniformly broken section and to save manufacturing time and cost, and a fabrication method thereof. The nitride-based semiconductor LED comprises a sapphire base substrate; a first conductive contact layer formed on the sapphire base substrate; a first electrode connected to the first conductive contact layer; a first cladding layer formed on the first conductive contact layer; an active layer formed on the first conductive cladding layer; a second cladding layer formed on the active layer; a second conductive contact layer formed on the second cladding layer; and a second electrode formed on the second conductive contact layer, in which the sapphire substrate is chamferred.
(FR) La présente invention concerne une DEL semi-conductrice à base de nitrure conçue pour diminuer de taille, augmenter l'épaisseur d'un substrat à base de saphir qui est recouvert à des fins de rupture de dispositif, améliorer l'efficacité d'extraction de lumière, former une section rompue uniformément, et faire des économies de temps et de frais. Cette invention a aussi trait au procédé de fabrication associé. Cette DEL semi-conductrice à base de nitrure comporte un substrat à base de saphir, une première couche de contact conductrice formée sur le substrat à base de saphir, une première électrode connectée à la première couche de contact conductrice, une première couche de revêtement formée sur la première couche de contact conductrice, une couche active formée sur la première couche de revêtement conductrice, une seconde couche de revêtement formée sur la couche active, une seconde couche de contact conductrice formée sur la seconde couche de revêtement, et une seconde électrode formée sur la seconde couche de contact conductrice, dans laquelle le substrat de saphir est chanfreiné.
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : Anglais (EN)
Langue de dépôt : Coréen (KO)