Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
Certains contenus de cette application ne sont pas disponibles pour le moment.
Si cette situation persiste, veuillez nous contacter àObservations et contact
1. (WO2005062390) DISPOSITIF A SEMI-CONDUCTEUR A BASE DE NITRURE DU GROUPE III ET DISPOSITIF ELECTROLUMINESCENT UTILISANT LEDIT DISPOSITIF
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international

N° de publication : WO/2005/062390 N° de la demande internationale : PCT/JP2004/019458
Date de publication : 07.07.2005 Date de dépôt international : 17.12.2004
CIB :
H01L 21/20 (2006.01) ,H01L 21/205 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
20
Dépôt de matériaux semi-conducteurs sur un substrat, p.ex. croissance épitaxiale
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
20
Dépôt de matériaux semi-conducteurs sur un substrat, p.ex. croissance épitaxiale
205
en utilisant la réduction ou la décomposition d'un composé gazeux donnant un condensat solide, c. à d. un dépôt chimique
Déposants :
SHOWA DENKO K.K. [JP/JP]; 13-9, Shibadaimon 1-chome Minato-ku, Tokyo 1058518, JP (AllExceptUS)
SAKURAI, Tetsuo [JP/JP]; JP (UsOnly)
Inventeurs :
SAKURAI, Tetsuo; JP
Mandataire :
AOKI, Atsushi ; A. Aoki, Ishida & Associates Toranomon 37 Mori Bldg. 5-1, Toranomon 3-chome Minato-ku, Tokyo 1058423, JP
Données relatives à la priorité :
2003-42524022.12.2003JP
60/532,92430.12.2003US
Titre (EN) GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR DEVICE AND LIGHT-EMITTING DEVICE USING THE SAME
(FR) DISPOSITIF A SEMI-CONDUCTEUR A BASE DE NITRURE DU GROUPE III ET DISPOSITIF ELECTROLUMINESCENT UTILISANT LEDIT DISPOSITIF
Abrégé :
(EN) An object of the present invention is to provide a Group III nitride semiconductor device exhibiting improved crystallinity and a good performance. The inventive Group III nitride semiconductor device comprises a substrate, and a plurality of Group III nitride semiconductor layers provided on the substrate, wherein a first layer which is in contact with the substrate is composed of silicon-doped AlxGa1-xN (0 ≤ x ≤ 1). Also, the inventive Group III nitride semiconductor device comprises a substrate, and a plurality of Group III nitride semiconductor layers provided on the substrate, wherein a first layer which is in contact with the substrate is composed of AlxGa1-xN (0 ≤ x ≤ 1), and the difference in height between a protrusion and a depression which are present at the interface between the first layer and a second layer provided thereon is 10 nm or more and is equal to, or less than, 99% the thickness of the first layer.
(FR) L'invention concerne un dispositif à semi-conducteur à base de nitrure du groupe III présentant une cristallinité améliorée et un bon rendement. Ce dispositif à semi-conducteur à base de nitrure du groupe III comprend un substrat et une pluralité de couches semi-conductrices à base nitrure du groupe III disposées sur le substrat, une première couche en contact avec le substrat étant composée de AlxGa1-xN (0 = x = 1) dopé au silicium. Ledit dispositif à semi-conducteur à base de nitrure du groupe III comprend également un substrat et une pluralité de couches semi-conductrices à base nitrure du groupe III disposées sur le substrat, une première couche en contact avec le substrat étant composée de AlxGa1-xN (0 = x = 1) et la différence de hauteur entre une protubérance et une dépression qui sont présentes au niveau de l'interface entre la première couche et une seconde couche disposée sur la première couche est de 10 nm ou plus et est égale ou inférieure à 99 % de l'épaisseur de la première couche.
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : Anglais (EN)
Langue de dépôt : Anglais (EN)
Également publié sous:
JP2005210091US20070138499US20100267221