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1. (WO2005062389) DISPOSITIF ELECTROLUMINESCENT A SEMI-CONDUCTEUR, MODULE ET APPAREIL D'ECLAIRAGE, ELEMENT D'AFFICHAGE, ET PROCEDE DE FABRICATION DU DISPOSITIF ELECTROLUMINESCENT A SEMI-CONDUCTEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2005/062389    N° de la demande internationale :    PCT/JP2004/019457
Date de publication : 07.07.2005 Date de dépôt international : 17.12.2004
CIB :
H01L 27/15 (2006.01), H01L 33/00 (2006.01)
Déposants : MATSUSHITA ELECTRIC INDUSTRIAL CO., LTD. [JP/JP]; 1006, Oaza Kadoma, Kadoma-shi, Osaka 5718501 (JP) (Tous Sauf US).
NAGAI, Hideo; (US Seulement)
Inventeurs : NAGAI, Hideo;
Mandataire : NAKAJIMA, Shiro; 6F, Yodogawa 5-Bankan, 2-1, Toyosaki 3-chome, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5310072 (JP)
Données relatives à la priorité :
2003-428258 24.12.2003 JP
Titre (EN) SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE, LIGHTING MODULE, LIGHTING APPARATUS, DISPLAY ELEMENT, AND MANUFACTURING METHOD FOR SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE
(FR) DISPOSITIF ELECTROLUMINESCENT A SEMI-CONDUCTEUR, MODULE ET APPAREIL D'ECLAIRAGE, ELEMENT D'AFFICHAGE, ET PROCEDE DE FABRICATION DU DISPOSITIF ELECTROLUMINESCENT A SEMI-CONDUCTEUR
Abrégé : front page image
(EN)In an LED array chip (2), LEDs (6) are connected together in series by a bridging wire (30). The LEDs (6) each have a semiconductor multilayer structure (8-18) including a light emitting layer (14). Here, the semiconductor multilayer structure (8-18) is epitaxially grown on a front surface of an SiC substrate (4). A phosphor film (48) covers the LEDs (6). Two power supply terminals (36 and 38), which are electrically independent from each other, are formed on a back surface of the SiC substrate (4). The power supply terminal (36) is connected to a cathode electrode (32) of an LED (6a) at a lower potential end by a bridging wire (40) and a plated-through hole (42). The power supply terminal (38) is connected to an anode electrode (34) of an LED (6d) at a higher potential end by a bridging wire (44) and a plated-through hole (46).
(FR)Selon l'invention, dans une puce à réseau de DEL, les DEL (6) sont connectées les unes aux autres en série par un câble de pontage (30). Les DEL présentent chacune une structure (8-18) multicouche à semi-conducteur comportant une couche électroluminescente (14). En l'occurrence, ladite structure (8-18) est formée par épitaxie sur une surface avant d'un substrat SiC (4). Un film de phosphore (48) recouvre les DEL (6). Deux bornes d'alimentation (36 et 38), indépendantes l'une de l'autre, sont formées sur une surface arrière du substrat SiC (4). La borne d'alimentation (36) est connectée à une cathode (32) d'une DEL (6a) à une extrémité de potentiel inférieure par un câble de pontage (40) et un trou traversant plaqué (42). La borne d'alimentation (38) est connectée à une anode (34) d'une DEL (6d) à une extrémité de potentiel supérieure par un câble de pontage (44) et un trou traversant plaqué (46).
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)