Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
Certains contenus de cette application ne sont pas disponibles pour le moment.
Si cette situation persiste, veuillez nous contacter àObservations et contact
1. (WO2005062385) DISPOSITIFS A EFFET DE CHAMP DE GRILLE A TRANCHEE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international

N° de publication : WO/2005/062385 N° de la demande internationale : PCT/JP2004/018432
Date de publication : 07.07.2005 Date de dépôt international : 03.12.2004
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 : 06.10.2005
CIB :
H01L 29/10 (2006.01) ,H01L 29/739 (2006.01) ,H01L 29/78 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29
Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
02
Corps semi-conducteurs
06
caractérisés par leur forme; caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices
10
avec des régions semi-conductrices connectées à une électrode ne transportant pas le courant à redresser, amplifier ou commuter, cette électrode faisant partie d'un dispositif à semi-conducteur qui comporte trois électrodes ou plus
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29
Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
66
Types de dispositifs semi-conducteurs
68
commandables par le seul courant électrique fourni ou par la seule tension appliquée, à une électrode qui ne transporte pas le courant à redresser, amplifier ou commuter
70
Dispositifs bipolaires
72
Dispositifs du type transistor, c.à d. susceptibles de répondre en continu aux signaux de commande appliqués
739
commandés par effet de champ
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29
Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
66
Types de dispositifs semi-conducteurs
68
commandables par le seul courant électrique fourni ou par la seule tension appliquée, à une électrode qui ne transporte pas le courant à redresser, amplifier ou commuter
76
Dispositifs unipolaires
772
Transistors à effet de champ
78
l'effet de champ étant produit par une porte isolée
Déposants :
TOYOTA JIDOSHA KABUSHIKI KAISHA [JP/JP]; 1, Toyota-cho, Toyota-shi, Aichi 4718571, JP (AllExceptUS)
HOTTA, Koji [JP/JP]; JP (UsOnly)
KAWAJI, Sachiko [JP/JP]; JP (UsOnly)
SUGIYAMA, Takahide [JP/JP]; JP (UsOnly)
USUI, Masanori [JP/JP]; JP (UsOnly)
Inventeurs :
HOTTA, Koji; JP
KAWAJI, Sachiko; JP
SUGIYAMA, Takahide; JP
USUI, Masanori; JP
Mandataire :
TOKKYO GYOUMU HOUJIN KAIYU KOKUSAI TOKKYO JIMUSHO; NISSEKI MEIEKI BUILDING 7F, 45-14, Meieki 2-chome Nakamura-ku, Nagoya-shi, Aichi 4500002, JP
Données relatives à la priorité :
2003-42776824.12.2003JP
2004-09297526.03.2004JP
Titre (EN) TRENCH GATE FIELD EFFECT DEVICES
(FR) DISPOSITIFS A EFFET DE CHAMP DE GRILLE A TRANCHEE
Abrégé :
(EN) The present invention relates to a technique for reducing the on-voltage of the semiconductor device by increasing the concentration of minority carriers in the deep region (26) and the intermediate region (28). A semiconductor device according to the invention comprises an electrode, a top region (36) of a second conductivity type connected to the electrode, a deep region of the second conductivity type, and an intermediate region of a first conductivity type connected to the electrode. A portion of the intermediate region isolates the top region and the deep region. The semiconductor device further comprises a gate electrode (32) facing the portion of the intermediate region via an insulating layer. The portion facing the gate electrode isolates the top region and the deep region. The semiconductor device according to the invention further comprises a barrier region (40) that is formed within the intermediate region and/or the top region.
(FR) La présente invention concerne une technique de réduction de la tension entre les électrodes du dispositif à semi-conducteur par augmentation de la concentration de porteurs minoritaires dans la zone profonde (26) et la zone intermédiaire (28). Un dispositif à semi-conducteur selon l'invention comprend une électrode, une zone supérieure (36) d'un deuxième type de conductivité et connecté à l'électrode, une zone profonde du deuxième type de conductivité, et une zone intermédiaire d'un premier type de conductivité connecté à l'électrode. Une partie de la zone intermédiaire isole la zone supérieure de la zone profonde. Le dispositif à semi-conducteur comprend également une électrode de grille (32) faisant face à la partie de la zone intermédiaire par la couche d'isolation. La partie faisant face à l'électrode de grille isole la zone supérieure de la zone inférieure. Le dispositif à semi-conducteur selon l'invention comprend également une zone barrière (40) qui est formée dans la zone intermédiaire et/ou la zone supérieure.
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : Anglais (EN)
Langue de dépôt : Anglais (EN)
Également publié sous:
KR1020060127075EP2146377EP1697995US20070114598CN1890813