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1. (WO2005062384) PROCEDES DE PONTAGE DE NANOFILS LATERAUX ET DISPOSITIFS COMPRENANT DE TELS NANOFILS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international

N° de publication : WO/2005/062384 N° de la demande internationale : PCT/US2004/040597
Date de publication : 07.07.2005 Date de dépôt international : 03.12.2004
CIB :
D01F 9/127 (2006.01) ,H01L 23/532 (2006.01) ,H01L 51/30 (2006.01)
D TEXTILES; PAPIER
01
FIBRES OU FILS NATURELS OU ARTIFICIELS; FILATURE
F
PARTIE CHIMIQUE DE LA FABRICATION DES FILAMENTS, FILS, FIBRES, SOIES OU RUBANS ARTIFICIELS; APPAREILS SPÉCIALEMENT ADAPTÉS À LA FABRICATION DE FILAMENTS DE CARBONE
9
Filaments, ou similaires, artificiels, formés d'autres substances; Leur fabrication; Appareils spécialement adaptés à la fabrication de filaments de carbone
08
de matière inorganique
12
Filaments de carbone; Appareils spécialement adaptés à leur fabrication
127
par décomposition thermique de gaz ou vapeurs d'hydrocarbures
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23
Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
52
Dispositions pour conduire le courant électrique à l'intérieur du dispositif pendant son fonctionnement, d'un composant à un autre
522
comprenant des interconnexions externes formées d'une structure multicouche de couches conductrices et isolantes inséparables du corps semi-conducteur sur lequel elles ont été déposées
532
caractérisées par les matériaux
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
51
Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives
05
spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances à l'état solide, ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
30
Emploi de matériaux spécifiés
Déposants :
HEWLETT-PACKARD DEVELOPMENT COMPANY, L.P. [US/US]; 20555 S. H. 249 Houston, TX 77070, US (AllExceptUS)
ISLAM, M., Saiful [BD/US]; US (UsOnly)
KAMINS, Theodore, I. [US/US]; US (UsOnly)
SHARMA, Shashank [IN/US]; US (UsOnly)
Inventeurs :
ISLAM, M., Saiful; US
KAMINS, Theodore, I.; US
SHARMA, Shashank; US
Mandataire :
LEE, Denise, A.; Hewlett-Packard Company Intellectual Property Administration P O Box 272400 Fort Collins, CO 80527-2400, US
Données relatives à la priorité :
10/738,17617.12.2003US
Titre (EN) METHOD OF FORMING BRIDGING LATERAL NANOWIRES AND DEVICE MANUFACTURED THEREBY
(FR) PROCEDES DE PONTAGE DE NANOFILS LATERAUX ET DISPOSITIFS COMPRENANT DE TELS NANOFILS
Abrégé :
(EN) A semiconductor nanowire (162, 660) is grown laterally. A method of growing (100) the nanowire forms (120) a vertical surface (118a, 118b, 610, 620) on a substrate (102, 630, 690), and activates (130) the vertical surface with a nanoparticle catalyst (160, 640, 642). A method of laterally bridging (200) the nanowire grows (210) the nanaowire from the activated vertical surface to connect to an opposite vertical surface (118a, 118b, 610, 620) on the substrate. A method of connecting (300) electrodes (610, 620) of a semiconductor device (600) grows (330) the nanowire from an activated (320) device electrode to an opposing device electrode. A method of bridging (400) semiconductor nanowires grows (410, 420, 430) nanowires between an electrode pairs opposing lateral directions. A method of self-assembling (500) the nanowire bridges (530) the nanowire between an activated electrode pair. A method of controlling nanowire growth forms a surface irregularity (170) in the vertical surface. An electronic device (600) includes a laterally grown nano-scale interconnection (660).
(FR) L'invention concerne un nanofil semi-conducteur (162, 660) formé latéralement, ainsi qu'un procédé (100) de croissance de nanofils consistant à former (120) une surface verticale (118a, 118b, 610, 620) sur un substrat (102, 630, 690), et à activer (130) cette surface verticale au moyen d'un catalyseur nanoparticulaire (160, 640, 642). L'invention concerne également un procédé permettant le pontage (200) latéral des nanofils, consistant à faire croître (210) des nanofils à partir de la surface verticale activée de manière à les connecter avec une surface verticale opposée (118a, 118b, 610, 620) du substrat. L'invention concerne encore un procédé de raccordement (300) des électrodes (610, 620) d'un dispositif semi-conducteur (600), consistant à faire croître (330) le nanofil à partir d'une électrode activée (320) du dispositif, en direction d'une électrode opposée du dispositif, un procédé de pontage (400) de nanofils semi-conducteurs consistant à faire croître (410, 420, 430) des nanofils entre deux électrodes activées, dans des directions latérales opposées, un procédé permettant l'auto-assemblage (500) des ponts (530 ) de nanofils entre deux électrodes activées, et un procédé permettant de réguler la croissance de nanofils, consistant à former une irrégularité (170) superficielle dans la surface verticale. L'invention concerne en outre un dispositif électronique (600) comprenant une interconnexion (660) d'échelle nanométrique formée par croissance latérale.
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : Anglais (EN)
Langue de dépôt : Anglais (EN)