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1. (WO2005062383) DISPOSITIF A MEMOIRE MAGNETIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international

N° de publication : WO/2005/062383 N° de la demande internationale : PCT/JP2003/016286
Date de publication : 07.07.2005 Date de dépôt international : 18.12.2003
CIB :
G11C 11/15 (2006.01) ,H01L 27/105 (2006.01) ,H01L 43/08 (2006.01)
G PHYSIQUE
11
ENREGISTREMENT DE L'INFORMATION
C
MÉMOIRES STATIQUES
11
Mémoires numériques caractérisées par l'utilisation d'éléments d'emmagasinage électriques ou magnétiques particuliers; Eléments d'emmagasinage correspondants
02
utilisant des éléments magnétiques
14
utilisant des éléments à pellicules minces
15
utilisant des couches magnétiques multiples
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27
Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
02
comprenant des composants semi-conducteurs spécialement adaptés pour le redressement, l'amplification, la génération d'oscillations ou la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
04
le substrat étant un corps semi-conducteur
10
comprenant une pluralité de composants individuels dans une configuration répétitive
105
comprenant des composants à effet de champ
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
43
Dispositifs utilisant les effets galvanomagnétiques ou des effets magnétiques analogues; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives
08
Résistances commandées par un champ magnétique
Déposants :
TDK CORPORATION [JP/JP]; 1-13-1, Nihonbashi Chuo-ku, Tokyo 103-8272, JP (AllExceptUS)
EZAKI, Joichiro [JP/JP]; JP (UsOnly)
KAKINUMA, Yuji [JP/JP]; JP (UsOnly)
KOGA, Keiji [JP/JP]; JP (UsOnly)
SUMITA, Shigekazu [JP/JP]; JP (UsOnly)
Inventeurs :
EZAKI, Joichiro; JP
KAKINUMA, Yuji; JP
KOGA, Keiji; JP
SUMITA, Shigekazu; JP
Mandataire :
SAKAI, Shinji; 3873-1, Higashiterao Matsushiro-machi Nagano-shi, Nagano 381-1225, JP
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) MAGNETIC MEMORY DEVICE
(FR) DISPOSITIF A MEMOIRE MAGNETIQUE
(JA) 磁気メモリデバイス
Abrégé :
(EN) A magnetic memory device comprising an annular magnetic layer arranged at the intersections of lines (5a, 5b) and a write word line (6) connected through a switch (S), wherein the write lines (5, 6) penetrate the annular magnetic layer at a parallel part (10), and a memory cell (1) comprises two annular magnetic layers arranged at the intersections of the lines (5a, 5b) and the write word line (6) and two magnetoresistive effect exhibiting bodies (20a, 20b). According to the arrangement, number of current supply lines can be decreased and scaling-down of a magnetic memory device can be realized.
(FR) L'invention concerne un dispositif à mémoire magnétique comprenant une couche magnétique annulaire disposée aux intersections de lignes (5a, 5b) et une ligne d'écriture (6), connectée par le biais d'un commutateur (S). Les lignes d'écriture (5, 6) pénètrent dans la couche magnétique annulaire au niveau d'une partie parallèle (10) et une cellule de mémoire (1) comprend deux couches magnétiques annulaires disposées aux intersections des lignes (5a, 5b), de la ligne d'écriture (6) et de deux corps (20a, 20b) présentant un effet magnétorésistif. Selon cet agencement, le nombre de lignes d'alimentation en courant peut être diminué et il est possible de diminuer l'échelle d'un dispositif à mémoire magnétique.
(JA) この発明に係る磁気メモリデバイスは、スイッチ(S)で接続された線路(5a,5b)と書込ワード線(6)との交差部分に配設された環状磁性層を備え、書込線(5,6)が平行部位(10)で環状磁性層を貫通し、記憶セル(1)は、線路(5a,5b)と書込ワード線(6)との交差部分に配設された2つの環状磁性層および2つの磁気抵抗効果発現体(20a,20b)で構成されている。この構成により、電流供給線路の数を低減することができる結果、磁気メモリデバイスを微細化できる。
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : Japonais (JA)
Langue de dépôt : Japonais (JA)
Également publié sous:
AU2003289435