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1. (WO2005062383) DISPOSITIF A MEMOIRE MAGNETIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2005/062383    N° de la demande internationale :    PCT/JP2003/016286
Date de publication : 07.07.2005 Date de dépôt international : 18.12.2003
CIB :
G11C 11/15 (2006.01), H01L 27/105 (2006.01), H01L 43/08 (2006.01)
Déposants : TDK CORPORATION [JP/JP]; 1-13-1, Nihonbashi, Chuo-ku, Tokyo 103-8272 (JP) (Tous Sauf US).
EZAKI, Joichiro [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
KAKINUMA, Yuji [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
KOGA, Keiji [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
SUMITA, Shigekazu [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : EZAKI, Joichiro; (JP).
KAKINUMA, Yuji; (JP).
KOGA, Keiji; (JP).
SUMITA, Shigekazu; (JP)
Mandataire : SAKAI, Shinji; 3873-1, Higashiterao, Matsushiro-machi, Nagano-shi, Nagano 381-1225 (JP)
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) MAGNETIC MEMORY DEVICE
(FR) DISPOSITIF A MEMOIRE MAGNETIQUE
(JA) 磁気メモリデバイス
Abrégé : front page image
(EN)A magnetic memory device comprising an annular magnetic layer arranged at the intersections of lines (5a, 5b) and a write word line (6) connected through a switch (S), wherein the write lines (5, 6) penetrate the annular magnetic layer at a parallel part (10), and a memory cell (1) comprises two annular magnetic layers arranged at the intersections of the lines (5a, 5b) and the write word line (6) and two magnetoresistive effect exhibiting bodies (20a, 20b). According to the arrangement, number of current supply lines can be decreased and scaling-down of a magnetic memory device can be realized.
(FR)L'invention concerne un dispositif à mémoire magnétique comprenant une couche magnétique annulaire disposée aux intersections de lignes (5a, 5b) et une ligne d'écriture (6), connectée par le biais d'un commutateur (S). Les lignes d'écriture (5, 6) pénètrent dans la couche magnétique annulaire au niveau d'une partie parallèle (10) et une cellule de mémoire (1) comprend deux couches magnétiques annulaires disposées aux intersections des lignes (5a, 5b), de la ligne d'écriture (6) et de deux corps (20a, 20b) présentant un effet magnétorésistif. Selon cet agencement, le nombre de lignes d'alimentation en courant peut être diminué et il est possible de diminuer l'échelle d'un dispositif à mémoire magnétique.
(JA)この発明に係る磁気メモリデバイスは、スイッチ(S)で接続された線路(5a,5b)と書込ワード線(6)との交差部分に配設された環状磁性層を備え、書込線(5,6)が平行部位(10)で環状磁性層を貫通し、記憶セル(1)は、線路(5a,5b)と書込ワード線(6)との交差部分に配設された2つの環状磁性層および2つの磁気抵抗効果発現体(20a,20b)で構成されている。この構成により、電流供給線路の数を低減することができる結果、磁気メモリデバイスを微細化できる。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)