Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
Certains contenus de cette application ne sont pas disponibles pour le moment.
Si cette situation persiste, veuillez nous contacter àObservations et contact
1. (WO2005062381) PROCEDE ET APPAREIL POUR ROUTAGE AMELIORE DE LA PUISSANCE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international

N° de publication : WO/2005/062381 N° de la demande internationale : PCT/US2004/039639
Date de publication : 07.07.2005 Date de dépôt international : 24.11.2004
CIB :
H01L 23/485 (2006.01) ,H01L 23/522 (2006.01) ,H01L 23/528 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23
Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
48
Dispositions pour conduire le courant électrique vers le ou hors du corps à l'état solide pendant son fonctionnement, p.ex. fils de connexion ou bornes
482
formées de couches conductrices inséparables du corps semi-conducteur sur lequel elles ont été déposées
485
formées de structures en couches comprenant des couches conductrices et isolantes, p.ex. contacts planaires
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23
Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
52
Dispositions pour conduire le courant électrique à l'intérieur du dispositif pendant son fonctionnement, d'un composant à un autre
522
comprenant des interconnexions externes formées d'une structure multicouche de couches conductrices et isolantes inséparables du corps semi-conducteur sur lequel elles ont été déposées
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23
Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
52
Dispositions pour conduire le courant électrique à l'intérieur du dispositif pendant son fonctionnement, d'un composant à un autre
522
comprenant des interconnexions externes formées d'une structure multicouche de couches conductrices et isolantes inséparables du corps semi-conducteur sur lequel elles ont été déposées
528
Configuration de la structure d'interconnexion
Déposants :
INTEL CORPORATION [US/US]; 2200 Mission College Boulevard Santa Clara, CA 95052, US (AllExceptUS)
BOHR, Mark [US/US]; US (UsOnly)
MARTELL, Bob [US/US]; US (UsOnly)
Inventeurs :
BOHR, Mark; US
MARTELL, Bob; US
Mandataire :
VINCENT, Lester, J. ; Blakely Sokoloff Taylor & Zafman 12400 Wilshire Boulevard 7th Floor Los Angeles, CA 90025, US
Données relatives à la priorité :
10/739,72617.12.2003US
Titre (EN) BUMP POWER CONNECTIONS OF A SEMICONDUCTOR DIE
(FR) PROCEDE ET APPAREIL POUR ROUTAGE AMELIORE DE LA PUISSANCE
Abrégé :
(EN) An apparatus comprising: a die having a top metal layer, the top metal layer comprised of at least a first metal line and a second metal line; a passivation layer covering the top metal layer; a C4 bump on the passivation layer; and a first passivation opening and a second passivation opening in the passivation layer, the first passivation opening to connect the first metal line to the C4 bump, and the second passivation opening to connect the second metal line to the C4 bump.
(FR) Un appareil comprend: une matrice ayant une couche métallique supérieure, celle-ci étant constituée d'au moins une première ligne métallique et d'une seconde ligne métallique; une couche de passivation recouvrant la couche métallique supérieure; un cordon de soudure C4 sur la couche de passivation, et une première couverture de passivation ainsi qu'une seconde ouverture de passivation ménagées dans la couche de passivation, la première ouverture permettant de relier la première ligne métallique au cordon de soudure C4 et la seconde ouverture permettant de connecter la seconde ligne métallique au cordon de soudure C4.
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : Anglais (EN)
Langue de dépôt : Anglais (EN)
Également publié sous:
JP2007514318US20050133894JP4563400CN1890808DE112004002466