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1. (WO2005062370) PROCEDE DE CONCEPTION D'UN DISPOSITIF MICROELECTRONIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international

N° de publication : WO/2005/062370 N° de la demande internationale : PCT/US2004/040280
Date de publication : 07.07.2005 Date de dépôt international : 01.12.2004
CIB :
H01L 21/56 (2006.01) ,H01L 23/29 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
50
Assemblage de dispositifs à semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par l'un uniquement des groupes H01L21/06-H01L21/326185
56
Capsulations, p.ex. couches de capsulation, revêtements
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23
Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
28
Capsulations, p.ex. couches de capsulation, revêtements
29
caractérisées par le matériau
Déposants :
INTEL CORPORATION [US/US]; 2200 Mission College Boulevard Santa Clara, CA 95052, US (AllExceptUS)
LEBONHEUR, Vassoudevane [US/US]; US (UsOnly)
LEMKE, Gregory [US/US]; US (UsOnly)
Inventeurs :
LEBONHEUR, Vassoudevane; US
LEMKE, Gregory; US
Mandataire :
VINCENT, Lester, J. ; Blakely, Sokoloff, Taylor & Zafman 7th Floor 12400 Wilshire Boulevard Los Angeles, CA 90025, US
Données relatives à la priorité :
10/737,37915.12.2003US
Titre (EN) A METHOD OF MAKING A MICROELECTRONIC ASSEMBLY
(FR) PROCEDE DE CONCEPTION D'UN DISPOSITIF MICROELECTRONIQUE
Abrégé :
(EN) A method of making a microelectronic assembly is provided. Wetting and flow characteristics of a no-flow underfill material are improved by preheating the no-flow underfill material. In one embodiment, the no-flow underfill material is preheated in a dispensing apparatus before being dispensed on a substrate. A die is then placed on the substrate, whereafter interconnection elements between the die and the substrate are reflowed and the no-flow underfill material is cured. In another embodiment, the no-flow underfill material is preheated after a die is placed on a substrate with the no-flow underfill material between the die and the substrate. In a further embodiment, a no-flow underfill material is dispensed on a die, whereafter a substrate is placed on the die with the no­flow underfill material between the substrate and the die.
(FR) L'invention concerne un procédé de conception d'un dispositif microélectronique. Des caractéristiques d'humidification et d'écoulement d'une matière de manque de métal, exempte d'écoulement sont améliorées par préchauffage de ladite matière. Dans un mode de réalisation, cette matière de manque de métal, exempte d'écoulement est préchauffée dans un appareil de distribution avant d'être distribuée sur un substrat. Une puce est ensuite placée sur le substrat, puis, des éléments d'interconnexion entre la puce et le substrat sont refondus et ladite matière est durcie. Dans un autre mode de réalisation, la matière de manque de métal, exempte d'écoulement est préchauffée, après disposition d'une puce sur un substrat, ladite matière se trouvant entre la puce et le substrat. Dans un mode de réalisation différent, une matière de manque de métal, exempte d'écoulement est distribuée sur une puce, ensuite un substrat est placé sur la puce, ladite matière se situant entre le substrat et la puce.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : Anglais (EN)
Langue de dépôt : Anglais (EN)
Également publié sous:
US20050130343CN1890790IN2062/DELNP/2006