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1. (WO2005062365) TRANSISTOR A BASE PERMEABLE A BASE DE GAN ET PROCEDE DE FABRICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2005/062365    N° de la demande internationale :    PCT/US2004/032276
Date de publication : 07.07.2005 Date de dépôt international : 01.10.2004
CIB :
H01L 27/06 (2006.01), H01L 29/20 (2006.01), H01L 29/772 (2006.01)
Déposants : BAE SYSTEMS INFORMATION AND ELECTRONIC SYSTEMS INTEGRATION, INC. [US/US]; 65 Spit Brook Road, Nashua, NH 03061 (US) (Tous Sauf US).
GUNTER, Liberty, L. [US/US]; (US) (US Seulement).
CHU, Kanin [CN/US]; (US) (US Seulement).
EDDY, Charles, R., Jr. [US/US]; (US) (US Seulement).
MOUSTAKAS, Theodore, D. [US/US]; (US) (US Seulement).
BELLOTTI, Enrico [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : GUNTER, Liberty, L.; (US).
CHU, Kanin; (US).
EDDY, Charles, R., Jr.; (US).
MOUSTAKAS, Theodore, D.; (US).
BELLOTTI, Enrico; (US)
Mandataire : MALONEY, Neil, F.; Maine & Asmus, P.O. Box 3445, Nashua, NH 03061-3445 (US)
Données relatives à la priorité :
60/527,238 04.12.2003 US
Titre (EN) GAN-BASED PERMEABLE BASE TRANSISTOR AND METHOD OF FABRICATION
(FR) TRANSISTOR A BASE PERMEABLE A BASE DE GAN ET PROCEDE DE FABRICATION
Abrégé : front page image
(EN)An etched grooved GaN-based permeable-base transistor structure is disclosed, along with a method for fabrication of same.
(FR)L'invention concerne une structure de transistor à base perméable à base de GaN, munie de rainures gravées, et un procédé de fabrication de ladite structure.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)