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1. (WO2005062365) TRANSISTOR A BASE PERMEABLE A BASE DE GAN ET PROCEDE DE FABRICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international

N° de publication : WO/2005/062365 N° de la demande internationale : PCT/US2004/032276
Date de publication : 07.07.2005 Date de dépôt international : 01.10.2004
CIB :
H01L 27/06 (2006.01) ,H01L 29/20 (2006.01) ,H01L 29/772 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27
Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
02
comprenant des composants semi-conducteurs spécialement adaptés pour le redressement, l'amplification, la génération d'oscillations ou la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
04
le substrat étant un corps semi-conducteur
06
comprenant une pluralité de composants individuels dans une configuration non répétitive
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29
Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
02
Corps semi-conducteurs
12
caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués
20
comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, uniquement des composés AIIIBV
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29
Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
66
Types de dispositifs semi-conducteurs
68
commandables par le seul courant électrique fourni ou par la seule tension appliquée, à une électrode qui ne transporte pas le courant à redresser, amplifier ou commuter
76
Dispositifs unipolaires
772
Transistors à effet de champ
Déposants :
BAE SYSTEMS INFORMATION AND ELECTRONIC SYSTEMS INTEGRATION, INC. [US/US]; 65 Spit Brook Road Nashua, NH 03061, US (AllExceptUS)
GUNTER, Liberty, L. [US/US]; US (UsOnly)
CHU, Kanin [CN/US]; US (UsOnly)
EDDY, Charles, R., Jr. [US/US]; US (UsOnly)
MOUSTAKAS, Theodore, D. [US/US]; US (UsOnly)
BELLOTTI, Enrico [US/US]; US (UsOnly)
Inventeurs :
GUNTER, Liberty, L.; US
CHU, Kanin; US
EDDY, Charles, R., Jr.; US
MOUSTAKAS, Theodore, D.; US
BELLOTTI, Enrico; US
Mandataire :
MALONEY, Neil, F. ; Maine & Asmus P.O. Box 3445 Nashua, NH 03061-3445, US
Données relatives à la priorité :
60/527,23804.12.2003US
Titre (EN) GAN-BASED PERMEABLE BASE TRANSISTOR AND METHOD OF FABRICATION
(FR) TRANSISTOR A BASE PERMEABLE A BASE DE GAN ET PROCEDE DE FABRICATION
Abrégé :
(EN) An etched grooved GaN-based permeable-base transistor structure is disclosed, along with a method for fabrication of same.
(FR) L'invention concerne une structure de transistor à base perméable à base de GaN, munie de rainures gravées, et un procédé de fabrication de ladite structure.
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : Anglais (EN)
Langue de dépôt : Anglais (EN)
Également publié sous:
EP1690290US20060148156USRE042955