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1. (WO2005062362) APPAREIL DE TRAITEMENT AU PLASMA
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international

N° de publication : WO/2005/062362 N° de la demande internationale : PCT/JP2004/018187
Date de publication : 07.07.2005 Date de dépôt international : 07.12.2004
CIB :
C23C 16/44 (2006.01) ,H01L 21/31 (2006.01)
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
23
REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT CHIMIQUE DE SURFACE; TRAITEMENT DE DIFFUSION DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL; MOYENS POUR EMPÊCHER LA CORROSION DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES, L'ENTARTRAGE OU LES INCRUSTATIONS, EN GÉNÉRAL
C
REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT DE SURFACE DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES PAR DIFFUSION DANS LA SURFACE, PAR CONVERSION CHIMIQUE OU SUBSTITUTION; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL
16
Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c. à d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur (CVD)
44
caractérisé par le procédé de revêtement
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
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Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
31
pour former des couches isolantes en surface, p.ex. pour masquer ou en utilisant des techniques photolithographiques; Post-traitement de ces couches; Emploi de matériaux spécifiés pour ces couches
Déposants :
三菱重工業株式会社 MITSUBISHI HEAVY INDUSTRIES, LTD. [JP/JP]; 〒1088215 東京都港区港南二丁目16番5号 Tokyo 16-5, Konan 2-chome, Minato-ku Tokyo 1088215, JP (AllExceptUS)
河野雄一 KAWANO, Yuichi [JP/JP]; JP (UsOnly)
嶋津正 SHIMAZU, Tadashi [JP/JP]; JP (UsOnly)
西森年彦 NISHIMORI, Toshihiko [JP/JP]; JP (UsOnly)
吉田和人 YOSHIDA, Kazuto [JP/JP]; JP (UsOnly)
Inventeurs :
河野雄一 KAWANO, Yuichi; JP
嶋津正 SHIMAZU, Tadashi; JP
西森年彦 NISHIMORI, Toshihiko; JP
吉田和人 YOSHIDA, Kazuto; JP
Mandataire :
光石俊郎 MITSUISHI, Toshiro; 〒1070052 東京都港区赤坂一丁目9番15号 光石法律特許事務所 Tokyo Mitsuishi Law and Patent Office 9-15, Akasaka 1-chome Minato-ku, Tokyo 1070052, JP
Données relatives à la priorité :
2003-42664824.12.2003JP
Titre (EN) PLASMA PROCESSING APPARATUS
(FR) APPAREIL DE TRAITEMENT AU PLASMA
(JA) プラズマ処理装置
Abrégé :
(EN) Disclosed is a film-forming apparatus which enables to suppress generation of particles and to reduce the workload of the cleaning process. Specifically disclosed is a film-forming apparatus for forming a thin film (15) on a substrate (6) by supplying a gas (13) through a gas nozzle (14) into a vacuum chamber (1) and transforming the gas (13) into a plasma by applying a current to a high-frequency antenna (7). In this film-forming apparatus, a ceramic inner cylinder (20) is so arranged that only a small area of the cylinder is in contact with the vacuum chamber (1) for preventing adhesion of the film-forming component onto the inner wall of the vacuum chamber (1).
(FR) L'invention concerne un appareil de formation de film qui permet de supprimer la production de particules et de réduire la charge de travail dans le processus de nettoyage. On décrit précisément un appareil de formation de film pour la formation de film mince (15) sur un substrat (6) par alimentation de gaz (13) via un buse de gaz (14) dans une chambre à dépression (1) et transformation du gaz (13) en plasma, par application de courant à une antenne HF (7). Dans cet appareil, un cylindre interne en céramique (20) est disposé de sorte que seulement une petite zone du cylindre soit en contact avec la chambre à dépression (1), ce qui permet de prévenir l'adhérence du composant de formation de film sur la paroi interne de la chambre à dépression (1).
(JA)  パーティクルの発生を抑制すると共に、クリーニング処理の負担を軽減した薄膜作製装置を提供する。そのために、真空チャンバ(1)の内部にガスノズル(14)からガス(13)を供給すると共に、高周波アンテナ(7)に給電して当該ガス(13)をプラズマ化して、基板(6)に薄膜(15)を成膜する薄膜作製装置において、薄膜成分が真空チャンバ(1)の内壁面に付着しないようにセラミックス製の内筒(20)を、真空チャンバ(1)との接触面積が小さくなるようにして設ける。                                                                                 
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Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
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Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : Japonais (JA)
Langue de dépôt : Japonais (JA)
Également publié sous:
KR1020060103341EP1699077JP2005191023US20070107843CN1898783