WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2005062361) PROCEDE DE REGLAGE D'UNE CHAMBRE A PLASMA AYANT UNE SOURCE DE PLASMA ADAPTATIF, PROCEDE DE GRAVURE AU PLASMA UTILISANT CETTE CHAMBRE ET PROCEDE DE FABRICATION D'UNE SOURCE DE PLASMA ADAPTATIVE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2005/062361    N° de la demande internationale :    PCT/KR2004/003388
Date de publication : 07.07.2005 Date de dépôt international : 22.12.2004
CIB :
H01L 21/3065 (2006.01)
Déposants : ADAPTIVE PLASMA TECHNOLOGY CORPORATION [KR/KR]; 1 Yeongtong-dong, Yeongtong-gu, Suwon-si, Gyeonggi-do 443-808 (KR) (Tous Sauf US).
SONG, Yeong Su [KR/KR]; (KR) (US Seulement).
OH, Sang Ryong [KR/KR]; (KR) (US Seulement).
KIM, Sheung Ki [KR/KR]; (KR) (US Seulement).
KIM, Nam Heon [KR/KR]; (KR) (US Seulement).
OH, Young kun [KR/KR]; (KR) (US Seulement).
LEE, Do Hyung [US/KR]; (KR) (US Seulement)
Inventeurs : SONG, Yeong Su; (KR).
OH, Sang Ryong; (KR).
KIM, Sheung Ki; (KR).
KIM, Nam Heon; (KR).
OH, Young kun; (KR).
LEE, Do Hyung; (KR)
Mandataire : AJU PATENT & LAW FIRM; 12th Floor, Poonglim Building, 823-1 Yeoksam-dong, Kangnam-gu, Seoul 135-784 (KR)
Données relatives à la priorité :
10-2003-0094413 22.12.2003 KR
10-2003-0095570 23.12.2003 KR
10-2003-0095523 23.12.2003 KR
Titre (EN) METHOD FOR SETTING PLASMA CHAMBER HAVING AN ADAPTIVE PLASMA SOURCE, PLASMA ETCHING METHOD USING THE SAME AND MANUFACTURING METHOD FOR ADAPTIVE PLASMA SOURCE
(FR) PROCEDE DE REGLAGE D'UNE CHAMBRE A PLASMA AYANT UNE SOURCE DE PLASMA ADAPTATIF, PROCEDE DE GRAVURE AU PLASMA UTILISANT CETTE CHAMBRE ET PROCEDE DE FABRICATION D'UNE SOURCE DE PLASMA ADAPTATIVE
Abrégé : front page image
(EN)Disclosed herein is a plasma chamber setting method for generating plasma in a plasma chamber. A plurality of plasma source coils, including a first plasma source coil, a second plasma source coil having an etching rate at the center part thereof higher than that of the first plasma source coil, and a third plasma source coil having an etching rate at the edge part thereof higher than that of the first plasma source coil, are prepared. The first plasma source coil is disposed on the plasma chamber, and a test wafer is etched. The etching rate for each position of the test wafer is analyzed, and first plasma source coil is replaced with the second plasma source coil or the third plasma source coil based on the analysis results.
(FR)La présente invention se rapporte à un procédé de réglage d'une chambre à plasma permettant de générer du plasma dans une chambre à plasma. Une pluralité de bobines source de plasma sont préparées, ces bobines incluant une première bobine source de plasma, une deuxième bobine source de plasma ayant un facteur de gravure en sa partie centrale supérieur à celui de la première bobine source de plasma, et une troisième bobine source de plasma ayant un facteur de gravure au niveau de sa partie latérale supérieur à celui de la première bobine source de plasma. La première bobine source de plasma est disposée sur la chambre à plasma et une plaquette d'essai est gravée. Le facteur de gravure pour chaque position de la plaquette d'essai est analysé, et la première bobine source de plasma est remplacée par la deuxième bobine source de plasma ou par la troisième bobine source de plasma en fonction des résultats de cette analyse.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : coréen (KO)