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1. (WO2005062360) MANDRIN ÉLECTROSTATIQUE ET BASE DE MANDRIN DOTÉE D'UN CANAL DE REFROIDISSEMENT POUR REFROIDISSEMENT DE PLAQUETTE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2005/062360    N° de la demande internationale :    PCT/KR2004/003387
Date de publication : 07.07.2005 Date de dépôt international : 22.12.2004
CIB :
H01L 21/3065 (2006.01)
Déposants : ADAPTIVE PLASMA TECHNOLOGY CORPORATION [KR/KR]; 1 Yeongtong-dong, Yeongtong-gu, Suwon-si, Gyeonggi-do 443-808 (KR) (Tous Sauf US).
PARK, Hee Yong [KR/KR]; (KR) (US Seulement).
KIM, Jin Tai [KR/KR]; (KR) (US Seulement).
LEE, Kyu Ha [KR/KR]; (KR) (US Seulement).
PARK, Kwan Tae [KR/KR]; (KR) (US Seulement).
OH, Sang Young [KR/KR]; (KR) (US Seulement).
JANG, Hwi Gon [KR/KR]; (KR) (US Seulement)
Inventeurs : PARK, Hee Yong; (KR).
KIM, Jin Tai; (KR).
LEE, Kyu Ha; (KR).
PARK, Kwan Tae; (KR).
OH, Sang Young; (KR).
JANG, Hwi Gon; (KR)
Mandataire : AJU PATENT & LAW FIRM; 12th Floor, Poonglim Building, 823-1 Yeoksam-dong, Kangnam-gu, Seoul 135-784 (KR)
Données relatives à la priorité :
10-2003-0094412 22.12.2003 KR
Titre (EN) ELECTROSTATIC CHUCK AND CHUCK BASE HAVING COOLING PATH FOR COOLING WAFER
(FR) MANDRIN ÉLECTROSTATIQUE ET BASE DE MANDRIN DOTÉE D'UN CANAL DE REFROIDISSEMENT POUR REFROIDISSEMENT DE PLAQUETTE
Abrégé : front page image
(EN)Disclosed herein is an electrostatic chuck having a cooling channel formed at the surface thereof. The electrostatic chuck comprises a chuck base for supporting a wafer, a dielectric film mounted on the chuck base, the dielectric film having an electrode for supplying direct current voltage to provide an electrostatic force necessary to fix the wafer, the electrode being disposed in the dielectric film, and a cooling channel for supplying refrigerant to the dielectric film to control the temperature of the wafer. The cooling channel comprises at least two first cooling channel parts formed at the surface of the dielectric film corresponding to the edge part of the wafer such that the first cooling channel parts form concentric circles, second cooling channel parts formed at the surface of the dielectric film such that the first cooling channel parts are connected to each other through the second cooling channel parts, first through channels formed through the dielectric film for supplying the refrigerant to the first and second cooling channel parts, and a second through channel formed through the center of the dielectric film for supplying the refrigerant to the center of the wafer.
(FR)L'invention concerne un mandrin électrostatique sur la surface duquel est formé un canal de refroidissement. Le mandrin électrostatique comprend une base de mandrin prévue pour porter une plaquette; un film diélectrique appliqué sur la base du mandrin, ce film diélectrique comportant une électrode d'alimentation en tension de courant direct qui fournit la force électrostatique nécessaire à la fixation de la plaquette; ainsi qu'un canal de refroidissement qui fournit un réfrigérant au film diélectrique pour réguler la température de la plaquette. Le canal de refroidissement comprend au moins deux premières parties de canal de refroidissement formées à la surface du film diélectrique correspondant à la partie latérale de la plaquette, de sorte que les premières parties de canal de refroidissement forment des cercles concentriques; des secondes parties de canal de refroidissement formées à la surface du film diélectrique, de sorte que les premières parties de canal de refroidissement soient reliées par les secondes parties de canal de refroidissement, des premiers canaux traversants formés sur le film diélectrique pour fournir le réfrigérant aux premières et secondes parties de canal de refroidissement; ainsi qu'un second canal traversant formé au centre du film diélectrique pour fournir le réfrigérant au centre de la plaquette.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : coréen (KO)