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1. (WO2005062354) SUBSTRAT SEMICONDUCTEUR A RECROISSANCE EPITAXIALE DANS LA PHASE SOLIDE A FUITES REDUITES DANS LA JONCTION ET SA METHODE DE FABRICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2005/062354    N° de la demande internationale :    PCT/IB2004/052644
Date de publication : 07.07.2005 Date de dépôt international : 02.12.2004
CIB :
H01L 21/20 (2006.01), H01L 21/265 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01), H01L 29/78 (2006.01)
Déposants : KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V. [NL/NL]; Groenewoudseweg 1, NL-5621 BA Eindhoven (NL) (Tous Sauf US).
PAWLAK, Bartlomiej, J. [PL/BE]; (NL) (US Seulement).
DUFFY, Raymond, J. [IE/BE]; (NL) (US Seulement).
LINDSAY, Richard [GB/BE]; (NL) (US Seulement)
Inventeurs : PAWLAK, Bartlomiej, J.; (NL).
DUFFY, Raymond, J.; (NL).
LINDSAY, Richard; (NL)
Mandataire : ELEVELD, Koop, J.; Prof. Holstlaan 6, NL-5656 AA Eindhoven (NL)
Données relatives à la priorité :
03104781.4 18.12.2003 EP
Titre (EN) A SEMICONDUCTOR SUBSTRATE WITH SOLID PHASE EPITAXIAL REGROWTH WITH REDUCED JUNCTION LEAKAGE AND METHOD OF PRODUCING SAME
(FR) SUBSTRAT SEMICONDUCTEUR A RECROISSANCE EPITAXIALE DANS LA PHASE SOLIDE A FUITES REDUITES DANS LA JONCTION ET SA METHODE DE FABRICATION
Abrégé : front page image
(EN)Method of producing a semiconductor device, comprising: a) providing a semiconductor substrate, b) making a first amorphous layer in a top layer of the semiconductor substrate by a suitable implant, the first amorphous layer having a first depth, c) implanting a first dopant into the semiconductor substrate to provide the first amorphous layer with a first doping profile, d) applying a first solid phase epitaxial regrowth action to partially regrow the first amorphous layer and form a second amorphous layer having a second depth that is less than the first depth and activate the first dopant, e) implanting a second dopant into the semiconductor substrate to provide the second amorphous layer with a second doping profile with a higher doping concentration than the first doping profile, f)applying a second solid phase epitaxial regrowth action to regrow the second amorphous layer and activate the second dopant.
(FR)Cette méthode de fabrication d'un dispositif semiconducteur comprend les étapes suivantes : (a) la préparation d'un substrat semiconducteur ; (b) la production d'une première couche amorphe dans une couche supérieure du substrat semiconducteur par une implantation appropriée, la première couche amorphe ayant une première profondeur ; (c) l'implantation d'un premier dopant dans le substrat semiconducteur afin de donner un premier profil de dopage à la couche amorphe ; (d) l'application d'une recroissance épitaxiale dans la phase solide afin de reformer partiellement la première couche amorphe et de former une deuxième couche amorphe ayant une deuxième profondeur inférieure à la première profondeur, ainsi que pour activer le premier dopant ; (e) l'implantation d'un deuxième dopant dans le substrat semiconducteur afin de donner un deuxième profil de dopage à la deuxième couche amorphe ayant une concentration en dopants supérieure à celle du premier profil de dopage ; (f) l'application d'une deuxième recroissance épitaxiale dans la phase solide afin de reformer la deuxième couche amorphe et d'activer le deuxième dopant.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)