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1. (WO2005062354) SUBSTRAT SEMICONDUCTEUR A RECROISSANCE EPITAXIALE DANS LA PHASE SOLIDE A FUITES REDUITES DANS LA JONCTION ET SA METHODE DE FABRICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international

N° de publication : WO/2005/062354 N° de la demande internationale : PCT/IB2004/052644
Date de publication : 07.07.2005 Date de dépôt international : 02.12.2004
CIB :
H01L 21/20 (2006.01) ,H01L 21/265 (2006.01) ,H01L 21/336 (2006.01) ,H01L 29/78 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
20
Dépôt de matériaux semi-conducteurs sur un substrat, p.ex. croissance épitaxiale
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
26
Bombardement par des radiations ondulatoires ou corpusculaires
263
par des radiations d'énergie élevée
265
produisant une implantation d'ions
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
334
Procédés comportant plusieurs étapes pour la fabrication de dispositifs du type unipolaire
335
Transistors à effet de champ
336
à grille isolée
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29
Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
66
Types de dispositifs semi-conducteurs
68
commandables par le seul courant électrique fourni ou par la seule tension appliquée, à une électrode qui ne transporte pas le courant à redresser, amplifier ou commuter
76
Dispositifs unipolaires
772
Transistors à effet de champ
78
l'effet de champ étant produit par une porte isolée
Déposants :
KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V. [NL/NL]; Groenewoudseweg 1 NL-5621 BA Eindhoven, NL (AllExceptUS)
PAWLAK, Bartlomiej, J. [PL/BE]; NL (UsOnly)
DUFFY, Raymond, J. [IE/BE]; NL (UsOnly)
LINDSAY, Richard [GB/BE]; NL (UsOnly)
Inventeurs :
PAWLAK, Bartlomiej, J.; NL
DUFFY, Raymond, J.; NL
LINDSAY, Richard; NL
Mandataire :
ELEVELD, Koop, J.; Prof. Holstlaan 6 NL-5656 AA Eindhoven, NL
Données relatives à la priorité :
03104781.418.12.2003EP
Titre (EN) A SEMICONDUCTOR SUBSTRATE WITH SOLID PHASE EPITAXIAL REGROWTH WITH REDUCED JUNCTION LEAKAGE AND METHOD OF PRODUCING SAME
(FR) SUBSTRAT SEMICONDUCTEUR A RECROISSANCE EPITAXIALE DANS LA PHASE SOLIDE A FUITES REDUITES DANS LA JONCTION ET SA METHODE DE FABRICATION
Abrégé :
(EN) Method of producing a semiconductor device, comprising: a) providing a semiconductor substrate, b) making a first amorphous layer in a top layer of the semiconductor substrate by a suitable implant, the first amorphous layer having a first depth, c) implanting a first dopant into the semiconductor substrate to provide the first amorphous layer with a first doping profile, d) applying a first solid phase epitaxial regrowth action to partially regrow the first amorphous layer and form a second amorphous layer having a second depth that is less than the first depth and activate the first dopant, e) implanting a second dopant into the semiconductor substrate to provide the second amorphous layer with a second doping profile with a higher doping concentration than the first doping profile, f)applying a second solid phase epitaxial regrowth action to regrow the second amorphous layer and activate the second dopant.
(FR) Cette méthode de fabrication d'un dispositif semiconducteur comprend les étapes suivantes : (a) la préparation d'un substrat semiconducteur ; (b) la production d'une première couche amorphe dans une couche supérieure du substrat semiconducteur par une implantation appropriée, la première couche amorphe ayant une première profondeur ; (c) l'implantation d'un premier dopant dans le substrat semiconducteur afin de donner un premier profil de dopage à la couche amorphe ; (d) l'application d'une recroissance épitaxiale dans la phase solide afin de reformer partiellement la première couche amorphe et de former une deuxième couche amorphe ayant une deuxième profondeur inférieure à la première profondeur, ainsi que pour activer le premier dopant ; (e) l'implantation d'un deuxième dopant dans le substrat semiconducteur afin de donner un deuxième profil de dopage à la deuxième couche amorphe ayant une concentration en dopants supérieure à celle du premier profil de dopage ; (f) l'application d'une deuxième recroissance épitaxiale dans la phase solide afin de reformer la deuxième couche amorphe et d'activer le deuxième dopant.
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : Anglais (EN)
Langue de dépôt : Anglais (EN)
Également publié sous:
EP1697978JP2007515066US20090140242CN1894777