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1. (WO2005062352) SUBSTRAT SEMICONDUCTEUR A RECROISSANCE EPITAXIALE DANS LA PHASE SOLIDE A FUITES REDUITE DANS LA JONCTION ET SA METHODE DE FABRICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international

N° de publication : WO/2005/062352 N° de la demande internationale : PCT/IB2004/052757
Date de publication : 07.07.2005 Date de dépôt international : 10.12.2004
CIB :
H01L 21/20 (2006.01) ,H01L 21/265 (2006.01) ,H01L 21/324 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
20
Dépôt de matériaux semi-conducteurs sur un substrat, p.ex. croissance épitaxiale
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
26
Bombardement par des radiations ondulatoires ou corpusculaires
263
par des radiations d'énergie élevée
265
produisant une implantation d'ions
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30
Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
324
Traitement thermique pour modifier les propriétés des corps semi-conducteurs, p.ex. recuit, frittage
Déposants :
KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V. [NL/NL]; Groenewoudseweg 1 NL-5621 BA Eindhoven, NL (AllExceptUS)
INTERUNIVERSITAIR MICROELEKTRONICA CENTRUM VZW [BE/BE]; Kapeldreef 75 B-3001 Leuven, BE (AllExceptUS)
PAWLAK, Bartlomiej, J. [PL/BE]; NL (UsOnly)
Inventeurs :
PAWLAK, Bartlomiej, J.; NL
Mandataire :
ELEVELD, Koop, J.; Prof. Holstlaan 6 NL-5656 AA Eindhoven, NL
Données relatives à la priorité :
03104787.118.12.2003EP
Titre (EN) A SEMICONDUCTOR SUBSTRATE WITH SOLID PHASE EPITAXIAL REGROWTH WITH REDUCED JUNCTION LEAKAGE AND METHOD OF PRODUCING SAME
(FR) SUBSTRAT SEMICONDUCTEUR A RECROISSANCE EPITAXIALE DANS LA PHASE SOLIDE A FUITES REDUITE DANS LA JONCTION ET SA METHODE DE FABRICATION
Abrégé :
(EN) Method of producing a semiconductor device comprising: a) providing a semiconductor substrate, b) making an amorphous layer in a top layer of said semiconductor substrate by a suitable implant, c) implanting a dopant into said semiconductor substrate to provide said amorphous layer with a predetermined doping profile, d) applying a solid phase epitaxial regrowth action to regrow said amorphous layer and activate said dopant, e) passivating post-implantation defects in an ambient comprising at least hydrogen and nitrogen in order to reduce junction leakage currents.
(FR) Cette méthode de fabrication d'un dispositif semiconducteur comprend les étapes suivantes : (a) la préparation d'un substrat semiconducteur ; (b) la production d'une couche amorphe dans une couche supérieure du substrat semiconducteur par une implantation appropriée ; (c) l'implantation d'un dopant dans le substrat semiconducteur afin de donner un profil de dopage prédéterminé à la couche amorphe ; (d) l'application d'une recroissance épitaxiale dans la phase solide afin de reformer la couche amorphe et d'activer le dopant ; (e) la passivation des défauts post-implantation dans un environnement qui contient au moins de l'hydrogène et de l'azote afin de réduire les courants de fuite dans la jonction.
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : Anglais (EN)
Langue de dépôt : Anglais (EN)