WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2005062346) PROCEDE DE COMMANDE DE TRAJECTOIRE DE TEMPERATURE DE PLAQUETTE POUR APPLICATIONS A MONTEE EN TEMPERATURE ELEVEE FAISANT APPEL A LA MODELISATION THERMIQUE PREDICTIVE DYNAMIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication : WO/2005/062346 N° de la demande internationale : PCT/US2004/041063
Date de publication : 07.07.2005 Date de dépôt international : 09.12.2004
CIB :
H01L 21/00 (2006.01)
Déposants : MATTHEWS, Brian[US/US]; US (UsOnly)
WILLIS, James[US/US]; US (UsOnly)
LUSTIBER, Paul[US/US]; US (UsOnly)
AXCELIS TECHNOLOGIES INC.[US/US]; 108 Cherry Hill Drive Beverly, Massachusetts 01915, US (AllExceptUS)
Inventeurs : MATTHEWS, Brian; US
WILLIS, James; US
LUSTIBER, Paul; US
Données relatives à la priorité :
10/732,16110.12.2003US
Titre (EN) WAFER TEMPERATURE TRAJECTORY CONTROL METHOD FOR HIGH TEMPERATURE RAMP RATE APPLICATIONS USING DYNAMIC PREDICTIVE THERMAL MODELING
(FR) PROCEDE DE COMMANDE DE TRAJECTOIRE DE TEMPERATURE DE PLAQUETTE POUR APPLICATIONS A MONTEE EN TEMPERATURE ELEVEE FAISANT APPEL A LA MODELISATION THERMIQUE PREDICTIVE DYNAMIQUE
Abrégé : front page image
(EN) The present invention is directed to a method for thermally processing a substrate in a thermal processing system. The method comprises providing a target substrate temperature and generating a move profile of the substrate within the thermal processing system. An amount of heat is provided to the substrate in the first position, and one or more temperatures associated with one or more respective locations on the substrate are measured in the first position, and a theoretical position of the substrate generated based on the one or more measured temperatures, the position of the substrate, and a thermal model of the thermal processing system and the substrate. A predicted temperature profile of the substrate is generated in accordance with the move profile of the substrate, wherein the predicted temperature profile is based on the one or more measured temperatures and the theoretical position of the substrate, and a maximum predicted temperature is determined based on the predicted temperature profile. The substrate is consequently moved to the second position according to the move profile when the maximum predicted temperature is greater than or equal to the target substrate temperature. An offset may furthermore be employed to correct for errors in the theoretical position.
(FR) La présente invention se rapporte à un procédé permettant de traiter thermiquement un substrat dans un système de traitement thermique. Le procédé selon l'invention consiste : à fournir une température de substrat cible, et à générer un profil de mouvement du substrat à l'intérieur du système de traitement thermique ; à fournir une quantité de chaleur au substrat dans une première position, et à mesurer dans la première position une ou plusieurs températures associées à un ou plusieurs emplacements respectifs sur le substrat, et à générer une position théorique du substrat sur la base de la ou les températures mesurées, de la position du substrat, et d'un modèle thermique du système de traitement thermique et du substrat ; à générer un profil de température prédite du substrat d'après le profil de mouvement du substrat, ledit profil de température prédite étant basé sur la ou les températures mesurées et sur la position théorique du substrat, et à déterminer une température prédite maximale sur la base du profil de température prédite ; à déplacer ensuite le substrat vers la seconde position d'après le profil de mouvement lorsque la température prédite maximale est supérieure ou égale à la température de substrat cible. Il est également possible de recourir à un écart pour corriger les erreurs de la position théorique.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)