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1. (WO2005062344) PROCEDE D'EXPLOITATION D'UN SYSTEME DE SUPPRESSION CHIMIQUE D'OXYDE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international

N° de publication : WO/2005/062344 N° de la demande internationale : PCT/US2004/036498
Date de publication : 07.07.2005 Date de dépôt international : 03.11.2004
CIB :
C23C 16/44 (2006.01) ,H01L 21/00 (2006.01)
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
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REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT CHIMIQUE DE SURFACE; TRAITEMENT DE DIFFUSION DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL; MOYENS POUR EMPÊCHER LA CORROSION DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES, L'ENTARTRAGE OU LES INCRUSTATIONS, EN GÉNÉRAL
C
REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT DE SURFACE DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES PAR DIFFUSION DANS LA SURFACE, PAR CONVERSION CHIMIQUE OU SUBSTITUTION; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL
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Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c. à d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur (CVD)
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caractérisé par le procédé de revêtement
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
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Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
Déposants :
TOKYO ELECTRON LIMITED [JP/JP]; TBS Broadcast Center 3-6 Akasaka 5-chome Minato-ku Tokyo 107, JP (AllExceptUS)
TOMOYASU, Masayuki [JP/JP]; JP (UsOnly)
FUNK, Merritt, Lane [US/US]; US (UsOnly)
PINTO, Kevin, Augustine [IN/US]; US (UsOnly)
ODAGIRI, Masaya [JP/US]; US (UsOnly)
CHEN, Lemuel; TW (UsOnly)
YAMASHITA, Asao [JP/US]; US (UsOnly)
IWAMI, Akira [JP/JP]; JP (UsOnly)
TAKAHASHI, Hiroyuki [JP/US]; US (UsOnly)
Inventeurs :
TOMOYASU, Masayuki; JP
FUNK, Merritt, Lane; US
PINTO, Kevin, Augustine; US
ODAGIRI, Masaya; US
CHEN, Lemuel; TW
YAMASHITA, Asao; US
IWAMI, Akira; JP
TAKAHASHI, Hiroyuki; US
Mandataire :
KARCESKI, Jeffrey, D. ; Pillsbury Winthrop LLP P.O. Box 10500 McLean, VA 22102, US
Données relatives à la priorité :
10/736,98317.12.2003US
Titre (EN) METHOD OF OPERATING A SYSTEM FOR CHEMICAL OXIDE REMOVAL
(FR) PROCEDE D'EXPLOITATION D'UN SYSTEME DE SUPPRESSION CHIMIQUE D'OXYDE
Abrégé :
(EN) A processing system and method for chemical oxide removal (COR) is presented, wherein the processing system comprises a first treatment chamber and a second treatment chamber, wherein the first and second treatment chambers are coupled to one another. The first treatment chamber comprises a chemical treatment chamber that provides a temperature controlled chamber, and an independently temperature controlled substrate holder for supporting a substrate for chemical treatment. The substrate is exposed to a gaseous chemistry, such as HF/NH3, under controlled conditions including surface temperature and gas pressure. The second treatment chamber comprises a heat treatment chamber that provides a temperature controlled chamber, thermally insulated from the chemical treatment chamber. The heat treatment chamber provides a substrate holder for controlling the temperature of the substrate to thermally process the chemically treated surfaces on the substrate.
(FR) L'invention concerne un système de traitement de suppression chimique d'oxyde (COR). Le système de traitement comprend une première chambre de traitement et une seconde chambre de traitement, les première et seconde chambres de traitement étant couplées l'un à l'autre. La première chambre de traitement comprend une chambre de traitement chimique qui constitue une chambre à température régulée, et un porte-substrat à température régulée indépendamment conçu pour porter un substrat pour le traitement chimique. Ce substrat est exposé à un produit de traitement chimique gazeux, tel que HF/NH3, dans des conditions régulées comprenant la température de surface et la pression de gaz. La seconde chambre de traitement comprend une chambre de traitement thermique constituant une chambre à température régulée, isolée thermiquement de la chambre de traitement chimique. La chambre de traitement thermique constitue un porte-substrat pour réguler la température du substrat en vue du traitement thermique des surfaces traitées chimiquement sur le substrat.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : Anglais (EN)
Langue de dépôt : Anglais (EN)
Également publié sous:
KR1020060113688JP2007515074CN1961405KR1020110099321