Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
Certains contenus de cette application ne sont pas disponibles pour le moment.
Si cette situation persiste, veuillez nous contacter àObservations et contact
1. (WO2005062079) PRODUCTION DE MULTIPLES BANDES INTERDITES UTILISANT DES MULTIPLES COUCHES EPITAXIALES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international

N° de publication : WO/2005/062079 N° de la demande internationale : PCT/GB2004/005452
Date de publication : 07.07.2005 Date de dépôt international : 24.12.2004
CIB :
H01L 21/18 (2006.01) ,H01S 5/026 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
S
DISPOSITIFS UTILISANT L'ÉMISSION STIMULÉE
5
Lasers à semi-conducteurs
02
Détails ou composants structurels non essentiels au fonctionnement laser
026
Composants intégrés monolithiques, p.ex. guides d'ondes, photodétecteurs de surveillance ou dispositifs d'attaque
Déposants :
INTENSE LIMITED [GB/GB]; 4 Stanley Boulevard Hamilton International Technology Park High Blantyre Glasgow G72 0BN, GB (AllExceptUS)
YANSON, Dan, Andreyevitch [RU/GB]; GB (UsOnly)
BACCHIN, Gianluca [IT/GB]; GB (UsOnly)
KOWALSKI, Olek, Peter [GB/GB]; GB (UsOnly)
MCDOUGALL, Stewart, Duncan [GB/GB]; GB (UsOnly)
Inventeurs :
YANSON, Dan, Andreyevitch; GB
BACCHIN, Gianluca; GB
KOWALSKI, Olek, Peter; GB
MCDOUGALL, Stewart, Duncan; GB
Mandataire :
CHARIG, Raymond; Eric Potter Clarkson Park View House 58 The Ropewalk Nottingham NG1 5DD, GB
Données relatives à la priorité :
0329915.324.12.2003GB
Titre (EN) GENERATING MULTIPLE BANDGAPS USING MULTIPLE EPITAXIAL LAYERS
(FR) PRODUCTION DE MULTIPLES BANDES INTERDITES UTILISANT DES MULTIPLES COUCHES EPITAXIALES
Abrégé :
(EN) A quantum well intermixing (QWI) technique for modifying an energy bandgap during the formation of optical semiconductor devices enables spatial control of the QWI process so as to achieve differing bandgap shifts across a wafer, device or substrate surface. The method includes: forming a substrate comprising one or more core layers defining at least one quantum well; depositing a succession of intermixing barrier layers over the quantum well, each successive intermixing barrier layer being formed of a semiconductor material and having a different etch characteristic than an immediately preceding barrier layer; etching away different numbers of the successive barrier layers in different regions of the substrate so as to provide different total thicknesses of barrier layer in different regions of the substrate; and applying an intermixing agent to the surface of the substrate such that the degree of intermixing in the quantum well region varies as a function of the total thickness of barrier layer, thereby forming different bandgaps in the quantum well in each of the respective regions.
(FR) L'invention concerne un procédé de mélange de puits quantiques visant à modifier une largeur bande interdite pendant la formation de dispositifs semi-conducteurs optiques, qui permet d'assurer une commande spatiale du procédé en vue d'obtenir différents décalages de bande interdite sur une tranche, un dispositif ou une surface de substrat. Le procédé comporte les étapes consistant à : former un substrat comprenant une ou plusieurs couches centrales qui définissent au moins un puits quantique ; déposer successivement des couches barrières de mélange sur le puits quantique, chaque couche barrière de mélange successive étant constituée d'une matière semi-conductrice et comportant une caractéristique de gravure différente de celle de la couche la précédant immédiatement ; graver un nombre différent de couches barrières successives dans différentes régions du substrat pour former différentes épaisseurs totales de couche barrière dans différentes régions du substrat ; et appliquer un agent de mélange sur la surface du substrat, de sorte que le degré de mélange dans la région de puits quantiques varie en fonction de l'épaisseur totale de couche barrière, ce qui permet de former dans le puits quantique différentes largeurs de bande interdite dans chacune de régions respectives.
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : Anglais (EN)
Langue de dépôt : Anglais (EN)
Également publié sous:
EP1714311JP2007517391US20070246701GB2409572