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1. (WO2005061760) PROCEDE ET APPAREIL DE DEPOT DE MATERIAU
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2005/061760    N° de la demande internationale :    PCT/US2004/040951
Date de publication : 07.07.2005 Date de dépôt international : 07.12.2004
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    11.10.2005    
CIB :
C23C 18/16 (2006.01), C23C 18/54 (2006.01)
Déposants : LAM RESEARCH CORPORATION [US/US]; 4650 Cushing Parkway, Fremont, CA 94538 (US)
Inventeurs : DORDI, Yezdi; (US).
BOYD, John; (US).
THIE, William; (US).
MARASCHIN, Bob; (US).
REDEKER, Fred, C.; (US).
COOK, Joel, M.; (US)
Mandataire : WRIGHT, Kenneth, D.; Martine & Penilla, LLP, 710 Lakeway Drive, Suite 200, Sunnyvale, CA 94085 (US)
Données relatives à la priorité :
10/735,216 12.12.2003 US
10/734,704 12.12.2003 US
Titre (EN) METHOD AND APPARATUS FOR MATERIAL DEPOSITION
(FR) PROCEDE ET APPAREIL DE DEPOT DE MATERIAU
Abrégé : front page image
(EN)A method and an apparatus are provided for selective heating of a surface of a wafer exposed to an electroless plating solution. Selective heating by a radiant energy source causes a temperature increase at an interface between the wafer surface and the electroless plating solution. This temperature increase causes a plating reaction to occur at the wafer surface. Thus, material is deposited on the wafer surface through an electroless plating reaction that is initiated and controlled by varying the temperature of the wafer surface using an appropriately defined radiant energy source. Additionally, a planar member can be positioned over and proximate to the wafer surface to entrap electroless plating solution between the planar member and the wafer surface. Material deposited through the plating reactions forms a planarizing layer that conforms to a planarity of the planar member.
(FR)L'invention concerne un procédé et un appareil permettant de chauffer sélectivement la surface d'une plaquette exposée à une solution de dépôt autocatalytique. Un chauffage sélectif par une source d'énergie rayonnante entraîne une augmentation de la température à l'interface entre la surface de la plaquette et la solution de dépôt autocatalytique. Cet accroissement de la température déclenche la réaction de plaquage à la surface de la plaquette. Le matériau est ainsi déposé sur la surface de la plaquette au moyen d'une réaction de placage autocatalytique amorcée et régulée par variation de la température de la surface de la plaquette au moyen d'une source d'énergie rayonnante adaptée. Un élément plan peut en outre être placé au-dessus et à proximité de la surface la plaquette de manière que la solution de dépôt autocatalytique est retenue entre l'élément plan et la surface de la plaquette. Le matériau déposé au moyen de ces réactions de placage forme une couche plane qui se conforme à la planéité de l'élément plan.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)