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1. (WO2005061757) PROCEDE DE PRODUCTION D'UNE COUCHE MINCE DE FLUORURE DE MAGNESIUM, COUCHE MINCE DE FLUORURE DE MAGNESIUM, FILM MULTICOUCHE, FILM PLASTIQUE TRANSPARENT ET DISPOSITIF ORGANIQUE EL
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N° de publication : WO/2005/061757 N° de la demande internationale : PCT/JP2004/018617
Date de publication : 07.07.2005 Date de dépôt international : 14.12.2004
CIB :
C08J 7/04 (2006.01) ,C23C 16/30 (2006.01) ,C23C 16/505 (2006.01)
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
08
COMPOSÉS MACROMOLÉCULAIRES ORGANIQUES; LEUR PRÉPARATION OU LEUR MISE EN UVRE CHIMIQUE; COMPOSITIONS À BASE DE COMPOSÉS MACROMOLÉCULAIRES
J
MISE EN ŒUVRE; PROCÉDÉS GÉNÉRAUX POUR FORMER DES MÉLANGES; POST-TRAITEMENT NON COUVERT PAR LES SOUS-CLASSES C08B, C08C, C08F, C08G ou C08H149
7
Traitement chimique ou revêtement d'objets façonnés faits de substances macromoléculaires
04
Revêtement
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
23
REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT CHIMIQUE DE SURFACE; TRAITEMENT DE DIFFUSION DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL; MOYENS POUR EMPÊCHER LA CORROSION DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES, L'ENTARTRAGE OU LES INCRUSTATIONS, EN GÉNÉRAL
C
REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT DE SURFACE DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES PAR DIFFUSION DANS LA SURFACE, PAR CONVERSION CHIMIQUE OU SUBSTITUTION; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL
16
Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c. à d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur (CVD)
22
caractérisé par le dépôt de matériaux inorganiques, autres que des matériaux métalliques
30
Dépôt de composés, de mélanges ou de solutions solides, p.ex. borures, carbures, nitrures
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
23
REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT CHIMIQUE DE SURFACE; TRAITEMENT DE DIFFUSION DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL; MOYENS POUR EMPÊCHER LA CORROSION DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES, L'ENTARTRAGE OU LES INCRUSTATIONS, EN GÉNÉRAL
C
REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT DE SURFACE DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES PAR DIFFUSION DANS LA SURFACE, PAR CONVERSION CHIMIQUE OU SUBSTITUTION; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL
16
Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c. à d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur (CVD)
44
caractérisé par le procédé de revêtement
50
au moyen de décharges électriques
505
utilisant des décharges à radiofréquence
Déposants :
コニカミノルタホールディングス株式会社 Konica Minolta Holdings, Inc. [JP/JP]; 〒1000005 東京都千代田区丸の内1丁目6番1号 Tokyo 6-1, Marunouchi 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1000005, JP (AllExceptUS)
大久保 康 OKUBO, Yasushi [JP/JP]; JP (UsOnly)
Inventeurs :
大久保 康 OKUBO, Yasushi; JP
Données relatives à la priorité :
2003-42656824.12.2003JP
Titre (EN) METHOD FOR PRODUCING MAGNESIUM FLUORIDE THIN FILM, MAGNESIUM FLUORIDE THIN FILM, MULTILAYER FILM, TRANSPARENT PLASTIC FILM, AND ORGANIC EL DEVICE
(FR) PROCEDE DE PRODUCTION D'UNE COUCHE MINCE DE FLUORURE DE MAGNESIUM, COUCHE MINCE DE FLUORURE DE MAGNESIUM, FILM MULTICOUCHE, FILM PLASTIQUE TRANSPARENT ET DISPOSITIF ORGANIQUE EL
(JA) フッ化マグネシウム薄膜の製造方法、フッ化マグネシウム薄膜、積層膜、透明プラスチックフィルム、および有機EL素子
Abrégé :
(EN) Disclosed is a method for producing a magnesium fluoride thin film wherein a reactive gas containing a fluorine compound and an organic magnesium compound is supplied between opposing electrodes at or near atmospheric pressure, the reactive gas is excited by applying a high-frequency voltage, and a base is exposed to the reactive gas in the excited state. Also disclosed is a magnesium fluoride multilayer film which is characterized in that a magnesium fluoride thin film is composed of a first magnesium fluoride thin film and a second magnesium fluoride thin film formed thereon, at least either of contamination ratios of carbon and oxygen in the first magnesium fluoride thin film is not less than 10 atom%, and at least either of contamination ratios of carbon and oxygen in the second magnesium fluoride thin film is not more than 10 atom%.
(FR) L'invention concerne un procédé de production d'une couche mince de fluorure de magnésium dans lequel un gaz réactif contenant un composé de fluor et un composé de magnésium organique est amené entre des électrodes opposées à une pression atmosphérique ou une pression quasi atmosphérique, le gaz réactif est excité par application d'une tension à haute fréquence et une base est exposée au gaz réactif à l'état excité. L'invention concerne également un film multicouche de fluorure de magnésium lequel est caractérisé en ce qu'une couche mince de fluorure de magnésium comprend une première couche mince de fluorure de magnésium sur laquelle est formée une seconde couche mince de fluorure de magnésium, au moins un des rapports de contamination de carbone et d'oxygène dans la première couche mince de fluorure de magnésium à un pourcentage atomique non inférieur a 10 et au moins l'un des rapports de contamination de carbone et d'oxygène dans la seconde couche mince de fluorure de magnésium à un rapport atomique non supérieur a 10.
(JA)  大気圧または大気圧近傍の圧力下、対向する電極間にフッ素化合物と有機マグネシウム化合物を含有する反応性ガスを供給し、高周波電圧をかけて、前記反応性ガスを励起状態とし、励起状態の反応性ガスに基材を晒すフッ化マグネシウム薄膜の製造方法。および、前記フッ化マグネシウム薄膜が第1のフッ化マグネシウム薄膜上に、第2のフッ化マグネシウム薄膜を有し、前記第1のフッ化マグネシウム薄膜は炭素と酸素の混入比の少なくともいずれかが10原子%以上であり、前記第2のフッ化マグネシウム薄膜の炭素と酸素の混入比の少なくともいずれかが10原子%以下であることを特徴とするフッ化マグネシウム積層膜。
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : Japonais (JA)
Langue de dépôt : Japonais (JA)
Également publié sous:
JP4752507