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1. (WO2005061753) COMPENSATION D'ESPACE ENTRE UN MAGNETRON ET UNE CIBLE DE PULVERISATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international

N° de publication : WO/2005/061753 N° de la demande internationale : PCT/US2004/040907
Date de publication : 07.07.2005 Date de dépôt international : 07.12.2004
CIB :
C23C 14/34 (2006.01)
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
23
REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT CHIMIQUE DE SURFACE; TRAITEMENT DE DIFFUSION DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL; MOYENS POUR EMPÊCHER LA CORROSION DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES, L'ENTARTRAGE OU LES INCRUSTATIONS, EN GÉNÉRAL
C
REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT DE SURFACE DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES PAR DIFFUSION DANS LA SURFACE, PAR CONVERSION CHIMIQUE OU SUBSTITUTION; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL
14
Revêtement par évaporation sous vide, pulvérisation cathodique ou implantation d'ions du matériau composant le revêtement
22
caractérisé par le procédé de revêtement
34
Pulvérisation cathodique
Déposants :
APPLIED MATERIALS, INC. [US/US]; 3050 Bowers Avenue Santa Clara, CA 95054, US (AllExceptUS)
DING, Peijun [US/US]; US (UsOnly)
LUBBEN, Daniel, C. [US/US]; US (UsOnly)
HONG, Ilyoung, Richard [US/US]; US (UsOnly)
MILLER, Michael, Andrew [US/US]; US (UsOnly)
YANG, Hsien-Lung [--/US]; US (UsOnly)
RENGARAJAN, Suraj [IN/US]; US (UsOnly)
SUNDARRAJAN, Arvind [IN/US]; US (UsOnly)
YOUNG, Donny [US/US]; US (UsOnly)
ROSENSTEIN, Michael [US/US]; US (UsOnly)
LOWRANCE, Robert, B. [US/US]; US (UsOnly)
SANKARANARAYAN, Sreekrishnan [IN/US]; US (UsOnly)
YOSHIDOME, Goichi [EC/US]; US (UsOnly)
Inventeurs :
DING, Peijun; US
LUBBEN, Daniel, C.; US
HONG, Ilyoung, Richard; US
MILLER, Michael, Andrew; US
YANG, Hsien-Lung; US
RENGARAJAN, Suraj; US
SUNDARRAJAN, Arvind; US
YOUNG, Donny; US
ROSENSTEIN, Michael; US
LOWRANCE, Robert, B.; US
SANKARANARAYAN, Sreekrishnan; US
YOSHIDOME, Goichi; US
Mandataire :
GUENZER, Charles, S.; Law Offices of Charles Guenzer 2211 Park Boulevard P.O. Box 60729 Palo Alto, CA 94306, US
Données relatives à la priorité :
10/942,27316.09.2004US
10/942,35816.09.2004US
60/529,20912.12.2003US
Titre (EN) COMPENSATION OF SPACING BETWEEN MAGNETRON AND SPUTTER TARGET
(FR) COMPENSATION D'ESPACE ENTRE UN MAGNETRON ET UNE CIBLE DE PULVERISATION
Abrégé :
(EN) A lift mechanism (124) for and a corresponding use of a magnetron (70) in a plasma sputter reactor (30). The magnetron rotating about the target axis (76) is controllably lifted away from the back of the target (34) to compensate for sputter erosion. The apparatus includes a drive source (84), housing (94), tank (118), water bath (116), fixed gear (92), drive plate (96), carrier (81), magnetic yoke (80), isolator (38). Adapter (36), shield (52), vacuum pump system (44), RF power supply (58), capacitive coupling circuit (60), gas source (46), mass flow controller (48), reactor wall (32), magnet ring (114), DC power supply (54), pedestal electrode (40), wafer (42), clamp ring (50), inner magnetic pole (74), outer pole (78), follower shaft (102), follower gear (100), idler gear (98), and planetary scanning mechanism (90).
(FR) L'invention concerne un mécanisme de levage (124) destiné à un magnétron (70) dans un réacteur de pulvérisation plasma (30) et à une utilisation correspondante du magnétron. Celui-ci tournant autour de l'axe cible (76) est soulevé de manière commandée à distance à partir de l'arrière de la cible (34), aux fins de compensation de l'érosion par la pulvérisation. L'appareil comprend une source d'entraînement (84), un boîtier (94), un réservoir (118), un bain d'eau (116), un engrenage fixé (92), une plaque d'entraînement (96), un support (81), un mandrin magnétique (80), un isolateur (38), un adaptateur (36), un écran (52), un système de pompe à vide (44), une alimentation RF (58), un circuit de couplage capacitif (60), une source de gaz (46), une unité de commande du débit massique (48), une paroi de réacteur (32), un anneau magnétique (114), une alimentation CC (54), une électrode à piédestal (40), une plaquette (42), un anneau de support (50), un pôle magnétique interne (74), un pôle externe (78), un arbre suiveur (102), un engrenage suiveur (100), un pignon de renvoi (98) et un mécanisme de balayage planétaire (90).
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : Anglais (EN)
Langue de dépôt : Anglais (EN)
Également publié sous:
KR1020060123489EP1711644JP2007514058CN1890399