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1. (WO2005060723) MODELES EPITAXIAUX A COLLAGE DE PLAQUETTES POUR HETEROSTRUCTURES DE SILICIUM
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international

N° de publication : WO/2005/060723 N° de la demande internationale : PCT/US2004/005266
Date de publication : 07.07.2005 Date de dépôt international : 23.02.2004
CIB :
H01L 21/30 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30
Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
Déposants :
CALIFORNIA INSTITUTE OF TECHNOLOGY [US/US]; 1200 East California Boulevard Pasadena, CA 91125, US (AllExceptUS)
ATWATER, Harry, A., Jr. [US/US]; US (UsOnly)
ZAHLER, James, M. [US/US]; US (UsOnly)
IMORRAL, Anna Fontcuberta [ES/FR]; FR (UsOnly)
Inventeurs :
ATWATER, Harry, A., Jr.; US
ZAHLER, James, M.; US
IMORRAL, Anna Fontcuberta; FR
Mandataire :
MAEBIUS, Stephen, B.; Foley & Lardner LLP Suite 500 3000 K Street N.W. Washington, DC 20007-5143, US
Données relatives à la priorité :
10/761,91820.01.2004US
60/526,33202.12.2003US
Titre (EN) WAFER BONDED EPITAXIAL TEMPLATES FOR SILICON HETEROSTRUCTURES
(FR) MODELES EPITAXIAUX A COLLAGE DE PLAQUETTES POUR HETEROSTRUCTURES DE SILICIUM
Abrégé :
(EN) A heterostructure device layer is epitaxially grown on a virtual substrate, such as an InP/InGaAs/InP double heterostructure. A device substrate and a handle substrate form the virtual substrate. The device substrate is bonded to the handle substrate and is composed of a material suitable for fabrication of optoelectronic devices. The handle substrate is composed of a material suitable for providing mechanical support. The mechanical strength of the device and handle substrates is improved and the device substrate is thinned to leave a single-crystal film on the virtual substrate such as by exfoliation of a device film from the device substrate. An upper portion of the device film exfoliated from the device substrate is removed to provide a smoother and less defect prone surface for an optoelectronic device. A heterostructure is epitaxially grown on the smoothed surface in which an optoelectronic device may be fabricated.
(FR) Une couche de dispositif à hétérostructure est formée par croissance épitaxiale sur un substrat virtuel, par exemple une double hétérostructure InP/InGaAs/InP. Un substrat de dispositif et un substrat de manipulation constituent ce substrat virtuel. Le substrat de dispositif est collé au substrat de manipulation et composé d'un matériau convenant à la fabrication de dispositifs optoélectroniques. Le substrat de manipulation est composé d'un matériau approprié pour fournir un support mécanique. La résistance mécanique des substrats de dispositif et de manipulation est améliorée et le substrat de dispositif est aminci jusqu'à laisser un film monocristallin sur le substrat virtuel, par exemple par exfoliation d'un film de dispositif à partir du substrat de dispositif. Une partie supérieure du film de dispositif exfolié du substrat de dispositif est retirée pour permettre l'obtention d'une surface plus lisse et moins sensible aux défauts pour un dispositif optoélectronique. Une hétérostructure est formée par croissance épitaxiale sur la surface lisse, dans laquelle un dispositif optoélectronique peut être fabriqué.
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : Anglais (EN)
Langue de dépôt : Anglais (EN)