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1. (WO2005060548) PROCEDE POUR EMPECHER LES DOMMAGES SUR DES MATERIAUX POREUX A FAIBLE CONSTANTE DIELECTRIQUE LORS D'UN DECAPAGE DE RESINE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international

N° de publication : WO/2005/060548 N° de la demande internationale : PCT/US2004/040267
Date de publication : 07.07.2005 Date de dépôt international : 01.12.2004
CIB :
H01L 21/302 (2006.01) ,H01L 21/461 (2006.01) ,H01L 21/44 (2006.01) ,H01L 21/4763 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30
Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
302
pour changer leurs caractéristiques physiques de surface ou leur forme, p.ex. gravure, polissage, découpage
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
34
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs non couverts par H01L21/06, H01L21/16 et H01L21/18156
46
Traitement de corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/36-H01L21/428161
461
pour changer les caractéristiques physiques ou la forme de leur surface, p.ex. gravure, polissage, découpage
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
34
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs non couverts par H01L21/06, H01L21/16 et H01L21/18156
44
Fabrication des électrodes sur les corps semi-conducteurs par emploi de procédés ou d'appareils non couverts par les groupes H01L21/36-H01L21/428177
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
34
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs non couverts par H01L21/06, H01L21/16 et H01L21/18156
46
Traitement de corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/36-H01L21/428161
461
pour changer les caractéristiques physiques ou la forme de leur surface, p.ex. gravure, polissage, découpage
4763
Dépôt de couches non isolantes, p.ex. conductrices, résistives sur des couches isolantes; Post-traitement de ces couches
Déposants :
LAM RESEARCH CORPORATION [US/US]; 4650 Cushing Parkway Fremont, CA 94538-6470, US (AllExceptUS)
ANNAPRAGADA, Rao [IN/US]; US (UsOnly)
TAKESHITA, Kenji [JP/US]; US (UsOnly)
Inventeurs :
ANNAPRAGADA, Rao; US
TAKESHITA, Kenji; US
Mandataire :
LEE, Michael, B.; Beyer Weaver & Thomas, LLP P.O. Box 70250 Oakland, CA 94612-0250, US
Données relatives à la priorité :
10/738,28016.12.2003US
Titre (EN) METHOD OF PREVENTING DAMAGE TO POROUS LOW-K MATERIALS DURING RESIST STRIPPING
(FR) PROCEDE POUR EMPECHER LES DOMMAGES SUR DES MATERIAUX POREUX A FAIBLE CONSTANTE DIELECTRIQUE LORS D'UN DECAPAGE DE RESINE
Abrégé :
(EN) A method of forming a feature in a porous low-K dielectric layer is provided. A porous low-K dielectric layer is placed over a substrate. A patterned photoresist mask is placed over the porous low-K dielectric layer. A feature is etched into the porous low-K dielectric layer. A protective layer is deposited over the feature after the etching the feature. The patterned photoresist mask is stripped, so that part of the protective layer is removed, where protective walls formed from the protective layer remain in the feature.
(FR) L'invention concerne un procédé pour former une caractéristique dans une couche diélectrique à faible constante diélectrique. Une couche diélectrique à faible constante diélectrique poreuse est placée sur un substrat. Un masque en photorésine est placé sur la couche diélectrique à faible constante diélectrique. Une caractéristique est gravée dans la couche diélectrique à faible constante diélectrique poreuse. Une couche de protection est déposée sur la caractéristique après la gravure. Le masque de photorésine à motifs est pelliculé, de sorte que la partie de la couche protectrice est éliminée, les parois protectrices formées à partir de la couche protectrice restant dans la caractéristique.
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : Anglais (EN)
Langue de dépôt : Anglais (EN)
Également publié sous:
KR1020060114347IL176101EP1697984JP2007514327JP4668205CN1894784