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1. (WO2005060439) MRAM INTEGREE A D'AUTRES TYPES DE CIRCUITS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international

N° de publication : WO/2005/060439 N° de la demande internationale : PCT/US2004/036290
Date de publication : 07.07.2005 Date de dépôt international : 29.10.2004
CIB :
G11C 7/00 (2006.01)
G PHYSIQUE
11
ENREGISTREMENT DE L'INFORMATION
C
MÉMOIRES STATIQUES
7
Dispositions pour écrire une information ou pour lire une information dans une mémoire numérique
Déposants :
FREESCALE SEMICONDUCTOR, INC. [US/US]; 6501 William Cannon Drive West Austin, Texas 78735, US (AllExceptUS)
KERSZYKOWSKI, Gloria J. [US/US]; US (UsOnly)
CHANG, Li Hsin [US/US]; US (UsOnly)
DURLAM, Mark A. [US/US]; US (UsOnly)
LIEN, Mitchell T. [US/US]; US (UsOnly)
MEIXNER, Thomas V. [US/US]; US (UsOnly)
WISE, Loren J. [US/US]; US (UsOnly)
Inventeurs :
KERSZYKOWSKI, Gloria J.; US
CHANG, Li Hsin; US
DURLAM, Mark A.; US
LIEN, Mitchell T.; US
MEIXNER, Thomas V.; US
WISE, Loren J.; US
Mandataire :
KING, Robert, L. ; Corporate Law Department Intellectual Property Section 7700 West Parmer Lane MD: TX32/PL02 Austin, Texas 78729, US
Données relatives à la priorité :
10/730,23908.12.2003US
Titre (EN) MRAM DEVICE INTEGREATED WITH OTHER CIRCUITRY
(FR) MRAM INTEGREE A D'AUTRES TYPES DE CIRCUITS
Abrégé :
(EN) A magnetoresistive random access memory (MRAM) (13) is embedded with another circuit type (12). Logic (12), such as a processing unit, is particularly well-suited circuit type for embedding with MRAM (13). The embedding is made more efficient by using a metal layer (26) that is used as part of the interconnect for the other circuit (12) also as part of the MRAM cell (13). The MRAM cells (13) are all written by program lines, which are the two lines that cross to define a cell to be written. Thus, the design is simplified because there is commonality of usage of the metal line (26) that is used for one of the program lines for the MRAM and for one of the interconnect lines for the logic (12).
(FR) L'invention porte sur une MRAM (RAM magnétostrictive) (12) intégrée à un autre type de circuit (12). Un circuit logique (12) tel qu'une unité de traitement étant particulièrement bien adapté à cet usage. L'intégration est plus efficace si on utilise une couche de métal (26) faisant partie de la MRAM pour l'interconnexion du circuit (12). La programmation des MRAM s'effectue au moyen de conducteurs de programmation, l'intersection de deux d'entre eux déterminant la cellule programmée. Cette communauté d'utilisation d'un conducteur métallique à la fois comme conducteur de programmation de la MRAM et comme l'un des conducteurs d'interconnexion de la logique (12) simplifie la conception.
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : Anglais (EN)
Langue de dépôt : Anglais (EN)
Également publié sous:
KR1020060121146JP2007525022US20050122772CN101133301