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1. (WO2005057658) PROCEDE DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF DE CIRCUIT INTEGRE A FILM MINCE, DISPOSITIF DE CIRCUIT INTEGRE A FILM MINCE SANS CONTACT ET PROCEDE DE FABRICATION DUDIT DISPOSITIF ET ETIQUETTE ID ET PIECE COMPRENANT LE DISPOSITIF DE CIRCUIT INTEGRE A FILM MINCE SANS CONTACT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international

N° de publication : WO/2005/057658 N° de la demande internationale : PCT/JP2004/018978
Date de publication : 23.06.2005 Date de dépôt international : 14.12.2004
CIB :
G06K 19/077 (2006.01) ,H01L 21/336 (2006.01) ,H01L 21/84 (2006.01) ,H01L 27/12 (2006.01)
G PHYSIQUE
06
CALCUL; COMPTAGE
K
RECONNAISSANCE DES DONNÉES; PRÉSENTATION DES DONNÉES; SUPPORTS D'ENREGISTREMENT; MANIPULATION DES SUPPORTS D'ENREGISTREMENT
19
Supports d'enregistrement pour utilisation avec des machines et avec au moins une partie prévue pour supporter des marques numériques
06
caractérisés par le genre de marque numérique, p.ex. forme, nature, code
067
Supports d'enregistrement avec des marques conductrices, des circuits imprimés ou des éléments de circuit à semi-conducteurs, p.ex. cartes d'identité ou cartes de crédit
07
avec des puces à circuit intégré
077
Détails de structure, p.ex. montage de circuits dans le support
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
334
Procédés comportant plusieurs étapes pour la fabrication de dispositifs du type unipolaire
335
Transistors à effet de champ
336
à grille isolée
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
70
Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun, ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci; Fabrication de dispositifs à circuit intégré ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci
77
Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun
78
avec une division ultérieure du substrat en plusieurs dispositifs individuels
82
pour produire des dispositifs, p.ex. des circuits intégrés, consistant chacun en une pluralité de composants
84
le substrat étant autre chose qu'un corps semi-conducteur, p.ex. étant un corps isolant
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27
Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
02
comprenant des composants semi-conducteurs spécialement adaptés pour le redressement, l'amplification, la génération d'oscillations ou la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
12
le substrat étant autre qu'un corps semi-conducteur, p.ex. un corps isolant
Déposants :
SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. [JP/JP]; 398, Hase, Atsugi-shi Kanagawa 2430036, JP (AllExceptUS)
YAMAZAKI, Shunpei [JP/JP]; JP (UsOnly)
KOMORI, Miho [JP/JP]; JP (UsOnly)
SATOU, Yurika [JP/JP]; JP (UsOnly)
HOSOKI, Kazue [JP/JP]; JP (UsOnly)
OGITA, Kaori [JP/JP]; JP (UsOnly)
Inventeurs :
YAMAZAKI, Shunpei; JP
KOMORI, Miho; JP
SATOU, Yurika; JP
HOSOKI, Kazue; JP
OGITA, Kaori; JP
Données relatives à la priorité :
2003-41731715.12.2003JP
Titre (EN) METHOD FOR MANUFACTURING THIN FILM INTEGRATED CIRCUIT DEVICE, NONCONTACT THIN FILM INTEGRATED CIRCUIT DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME, AND IDTAG AND COIN INCLUDING THE NONCONTACT THIN FILM INTEGRATED CIRCUIT DEVICE
(FR) PROCEDE DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF DE CIRCUIT INTEGRE A FILM MINCE, DISPOSITIF DE CIRCUIT INTEGRE A FILM MINCE SANS CONTACT ET PROCEDE DE FABRICATION DUDIT DISPOSITIF ET ETIQUETTE ID ET PIECE COMPRENANT LE DISPOSITIF DE CIRCUIT INTEGRE A FILM MINCE SANS CONTACT
Abrégé :
(EN) To provide a thin film integrated circuit which is mass produced at low cost, a method for manufacturing a thin film integrated circuit according to the invention includes the steps of: forming a peel-off layer over a substrate; forming a base film over the peel-off layer; forming a plurality of thin film integrated circuits over the base film; forming a groove at the boundary between the plurality of thin film integrated circuits; and introducing a gas or a liquid containing halogen fluoride into the groove, thereby removing the peel-off layer; thus, the plurality of thin film integrated circuits are separated from each other.
(FR) Afin d'obtenir un circuit intégré à film mince à production massive et à faible coût, on met en oeuvre un procédé de fabrication d'un circuit intégré à film mince consistant à: former une couche pelable sur un substrat; former un film de base sur ladite couche; former une pluralité de circuits intégrés à film mince sur le film de base; former une rainure à la limite entre la pluralité de circuits intégrés à film mince; et introduire un gaz ou un liquide contenant un fluorure d'halogène dans la rainure, ce qui a pour effet de retirer la couche pelable; la pluralité de circuits intégrés à film mince sont alors séparés.
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : Anglais (EN)
Langue de dépôt : Anglais (EN)
Également publié sous:
KR1020070001093JP2005203762US20070166954CN1894796KR1020110129499