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1. (WO2005048424) VCSEL MONOLITHIQUE A POMPAGE OPTIQUE COMPRENANT UN EMETTEUR A EMISSION PAR LA TRANCHE PLACE LATERALEMENT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2005/048424    N° de la demande internationale :    PCT/DE2004/002477
Date de publication : 26.05.2005 Date de dépôt international : 09.11.2004
CIB :
H01S 5/026 (2006.01), H01S 5/04 (2006.01), H01S 5/14 (2006.01), H01S 5/183 (2006.01), H01S 5/20 (2006.01), H01S 5/22 (2006.01)
Déposants : OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH [DE/DE]; Wernerwerkstrasse 2, 93049 Regensburg (DE) (Tous Sauf US).
ALBRECHT, Tony [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
BRICK, Peter [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
LUTGEN, Stephan [DE/DE]; (DE) (US Seulement)
Inventeurs : ALBRECHT, Tony; (DE).
BRICK, Peter; (DE).
LUTGEN, Stephan; (DE)
Mandataire : EPPING HERMANN FISCHER PATENTANWALTSGESELLSCHAFT MBH; Ridlerstrasse 55, 80339 München (DE)
Données relatives à la priorité :
103 53 216.1 13.11.2003 DE
Titre (DE) MONOLITHISCHER OPTISCH GEPUMPTER VCSEL MIT SEITLICH ANGEBRACHTEM KANTENEMITTER
(EN) VCSEL PUMPED IN A MONOLITHICALLY OPTICAL MANNER AND COMPRISING A LATERALLY APPLIED EDGE EMITTER
(FR) VCSEL MONOLITHIQUE A POMPAGE OPTIQUE COMPRENANT UN EMETTEUR A EMISSION PAR LA TRANCHE PLACE LATERALEMENT
Abrégé : front page image
(DE)Die Erfindung betrifft eine Halbleiterlaservorrichtung mit einem optisch gepumpten, oberflächenemittierenden Vertikalemitterbereich (2), der eine aktive strahlungserzeugende Vertikalemitterschicht (3) aufweist und mindestens eine monolithisch integrierte Pumpstrahlungsquelle (5) zum optischen Pumpen des Vertikalemitterbereichs (2), die eine aktive strahlungserzeugende Pumpschicht (6) aufweist. Erfindungsgemäß ist die Pumpschicht (6) der Vertikalemitterschicht (3) in vertikaler Richtung nachgeordnet und es ist eine leitende Schicht (13) zwischen der Vertikalemitterschicht (3) und der Pumpschicht (6) vorgesehen. Weiterhin ist auf der Seite der Halbleiterlaservorrichtung, die sich näher an der Pumpschicht (6) als an der leitenden Schicht (13) befindet, ein Kontakt (9) aufgebracht. Zwischen diesem Kontakt (9) und der leitenden Schicht (13) ist ein elektrisches Feld zur Erzeugung von Pumpstrahlung (7) durch Ladungsträgerinjektion anlegbar.
(EN)The invention relates to a semiconductor laser device comprising an optically pumped, surface-emitting vertical emitter region (2) provided with an active radiation-emitting vertical emitter layer (3), and at least one monolithically integrated pump radiation source (5) comprising an active radiation-emitting pump layer (6) and used to optically pump the vertical emitter region (2). According to the invention, the pump layer (6) is arranged downstream of the vertical emitter layer (3) in the vertical direction and a conductive layer (13) is provided between the vertical emitter layer (3) and the pump layer (6). Furthermore, a contact (9) is applied to the side of the semiconductor laser device that is closer to the pump layer (6) than the conductive layer (13). An electrical field for generating pump radiation (7) by means of charge carrier injection can be applied between said contact (9) and the conductive layer (13).
(FR)L'invention concerne un dispositif laser à semi-conducteurs comprenant une zone d'émission verticale (2) à pompage optique et à émission par la surface qui comporte une couche d'émission verticale (3) active générant un rayonnement et au moins une source de rayonnement de pompage (5) intégrée de façon monolithique et destinée au pompage optique de la zone d'émission verticale (2), cette source comprenant une couche de pompage (6) active générant un rayonnement. Selon l'invention, la couche de pompage (6) est placée en aval de la couche d'émission verticale (3) dans le sens vertical et une couche conductrice (13) est disposée entre ladite couche d'émission verticale (3) et ladite couche de pompage (6). Par ailleurs, un contact (9) est placé sur le côté du dispositif laser à semi-conducteurs qui se trouve plus près de la couche de pompage (6) que de la couche conductrice (13). Un champ électrique peut être appliqué entre ledit contact (9) et la couche conductrice (13) pour générer un rayonnement de pompage (7) par injection de porteurs de charge.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : allemand (DE)
Langue de dépôt : allemand (DE)