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1. (WO2005048364) DISPOSITIFS ELECTROLUMINESCENTS AVEC CONTACT OHMIQUE AUTO-ALIGNE ET PROCEDES DE FABRICATION DE CES DISPOSITIFS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2005/048364    N° de la demande internationale :    PCT/US2004/038028
Date de publication : 26.05.2005 Date de dépôt international : 12.11.2004
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    12.09.2005    
CIB :
H01L 21/265 (2006.01), H01L 21/76 (2006.01), H01L 33/02 (2010.01), H01L 33/32 (2010.01)
Déposants : CREE, INC. [US/US]; 4600 Silicon Drive, Durham, North Carolina 27703 (US) (Tous Sauf US).
SLATER, David, B., Jr. [US/US]; (US) (US Seulement).
EDMOND, John [US/US]; (US) (US Seulement).
HAMILTON, Ian [GB/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : SLATER, David, B., Jr.; (US).
EDMOND, John; (US).
HAMILTON, Ian; (US)
Mandataire : GLATZ, Robert, W.; Myers Bigel Sibley & Sajovec, P.A., P.O. Box 37428, Raleigh, NC 27627 (US)
Données relatives à la priorité :
60/519,425 12.11.2003 US
10/987,136 12.11.2004 US
Titre (EN) LIGHT EMITTING DEVICES WITH SELF ALIGNED OHMIC CONTACT AND METHODS OF FABRICATING SAME
(FR) DISPOSITIFS ELECTROLUMINESCENTS AVEC CONTACT OHMIQUE AUTO-ALIGNE ET PROCEDES DE FABRICATION DE CES DISPOSITIFS
Abrégé : front page image
(EN)Methods of fabricating light emitting diodes and light emitting devices are provided that include a substrate, an n-type epitaxial region on the substrate and a p-type epitaxial region on the n-type epitaxial region. At least a portion of the p-type epitaxial region comprises a mesa with respect to the substrate. An ohmic contact is provided on an exposed portion of the p-type epitaxial layer. The ohmic contact is self aligned to a sidewall of the mesa and to the p-type epitaxial layer such that a sidewall of the ohmic contact is substantially aligned with a sidewall of the mesa and to the p-type epitaxial layer.
(FR)La présente invention concerne des procédés de fabrication de diodes électroluminescentes et de dispositifs électroluminescents qui comprenne un substrat, une région épitaxiale de type n sur le substrat et une région épitaxiale de type p sur la région de type n. Au moins une partie de la région épitaxiale de type p comprend un mesa par rapport au substrat. Un contact ohmique est prévu sur une partie exposée de la couche épitaxiale de type n. Ce contact ohmique est auto-aligné avec une paroi latérale du mesa et avec la couche épitaxiale de type p de sorte qu'une paroi latérale du contact ohmique soit sensiblement alignée avec une paroi latérale du mesa et avec la couche épitaxiale de type p.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)