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1. (WO2005047966) DISPOSITIF D'AFFICHAGE A CRISTAUX LIQUIDES ET SA METHODE DE FABRICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication : WO/2005/047966 N° de la demande internationale : PCT/JP2004/016782
Date de publication : 26.05.2005 Date de dépôt international : 05.11.2004
CIB :
G02F 1/1368 (2006.01) ,H01L 21/288 (2006.01)
G PHYSIQUE
02
OPTIQUE
F
DISPOSITIFS OU SYSTÈMES DONT LE FONCTIONNEMENT OPTIQUE EST MODIFIÉ PAR CHANGEMENT DES PROPRIÉTÉS OPTIQUES DU MILIEU CONSTITUANT CES DISPOSITIFS OU SYSTÈMES ET DESTINÉS À LA COMMANDE DE L'INTENSITÉ, DE LA COULEUR, DE LA PHASE, DE LA POLARISATION OU DE LA DIRECTION DE LA LUMIÈRE, p.ex. COMMUTATION, OUVERTURE DE PORTE, MODULATION OU DÉMODULATION; TECHNIQUES NÉCESSAIRES AU FONCTIONNEMENT DE CES DISPOSITIFS OU SYSTÈMES; CHANGEMENT DE FRÉQUENCE; OPTIQUE NON LINÉAIRE; ÉLÉMENTS OPTIQUES LOGIQUES; CONVERTISSEURS OPTIQUES ANALOGIQUES/NUMÉRIQUES
1
Dispositifs ou systèmes pour la commande de l'intensité, de la couleur, de la phase, de la polarisation ou de la direction de la lumière arrivant d'une source de lumière indépendante, p.ex. commutation, ouverture de porte ou modulation; Optique non linéaire
01
pour la commande de l'intensité, de la phase, de la polarisation ou de la couleur
13
basés sur des cristaux liquides, p.ex. cellules d'affichage individuelles à cristaux liquides
133
Dispositions relatives à la structure; Excitation de cellules à cristaux liquides; Dispositions relatives aux circuits
136
Cellules à cristaux liquides associées structurellement avec une couche ou un substrat semi-conducteurs, p.ex. cellules faisant partie d'un circuit intégré
1362
Cellules à adressage par une matrice active
1368
dans lesquelles l'élément de commutation est un dispositif à trois électrodes
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
28
Fabrication des électrodes sur les corps semi-conducteurs par emploi de procédés ou d'appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/268177
283
Dépôt de matériaux conducteurs ou isolants pour les électrodes
288
à partir d'un liquide, p.ex. dépôt électrolytique
Déposants : MAEKAWA, Shinji[JP/JP]; JP (UsOnly)
YAMAZAKI, Shunpei[JP/JP]; JP (UsOnly)
KUWABARA, Hideaki[JP/JP]; JP (UsOnly)
MORIYA, Yoshitaka[JP/JP]; JP (UsOnly)
SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.[JP/JP]; 398, Hase Atsugi-shi Kanagawa 243-0036, JP (AllExceptUS)
Inventeurs : MAEKAWA, Shinji; JP
YAMAZAKI, Shunpei; JP
KUWABARA, Hideaki; JP
MORIYA, Yoshitaka; JP
Données relatives à la priorité :
2003-38601314.11.2003JP
Titre (EN) LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
(FR) DISPOSITIF D'AFFICHAGE A CRISTAUX LIQUIDES ET SA METHODE DE FABRICATION
Abrégé :
(EN) By using one photo mask in the manufacturing steps of a liquid crystal display device, steps such as resist coating, prebaking, exposure, development, and postbaking, as well as the formation of a covering film, etching, resist peeling, rinsing, drying and the like before and after the aforementioned steps are required, which make the process complicated. To solve the problem, a channel-etch type bottom gate TFT (inverted staggered TFT) is employed to pattern source and drain regions and a pixel electrode with the same mask. Moreover, according to the invention, among the patterns required to form a liquid crystal display device such as a conductive layer for a wiring layer or an electrode, a mask for forming a predetermined pattern and the like, at least one or more of them is formed by a method by which a pattern can selectively be formed, thereby manufacturing a liquid crystal display device.
(FR) Lors de l'utilisation d'un photomasque dans les étapes de fabrication d'un dispositif d'affichage à cristaux liquides, les étapes consistant notamment à appliquer un revêtement en résist, à effectuer une précuisson, une exposition, un développement, et une post-cuisson; ainsi que celles consistant à former un film de couverture, à effectuer une gravure, un pelage de résist, un rinçage, un séchage et analogue, avant et après les étapes susmentionnées, sont requises, ce qui rend le procédé compliqué. Afin de résoudre ce problème, un transistor en couches minces TFT (TFT à empilement en quinconce inversé) à grille de fond de type gravure de canal, est utilisé pour former des motifs sur la zone de source et sur la zone de drain, ainsi que sur une électrode pixel, à l'aide du même masque. En outre, selon l'invention, parmi les motifs requis pour former un dispositif d'affichage à cristaux liquides, notamment une couche conductrice pour une couche de connexion ou pour une électrode, un masque destiné à former un motif prédéterminé et analogue, au moins un de ces éléments est formé par une méthode par laquelle un motif peut être sélectivement formé, ce qui permet de fabriquer un dispositif d'affichage à cristaux liquides.
front page image
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Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)