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1. (WO2005047574) COUCHE HETEROEPITAXIALE ET PROCEDE POUR SA PRODUCTION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2005/047574    N° de la demande internationale :    PCT/EP2004/012807
Date de publication : 26.05.2005 Date de dépôt international : 11.11.2004
CIB :
C30B 23/02 (2006.01), C30B 25/02 (2006.01), C30B 25/18 (2006.01)
Déposants : UNIVERSITÄT AUGSBURG [DE/DE]; Universitätsstrasse 2, 86159 Augsburg (DE) (Tous Sauf US).
SCHRECK, Matthias [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
GSELL, Stefan [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
BAUER, Thomas [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
GOLFUSS, Johannes [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
STRITZKER, Bernd [DE/DE]; (DE) (US Seulement)
Inventeurs : SCHRECK, Matthias; (DE).
GSELL, Stefan; (DE).
BAUER, Thomas; (DE).
GOLFUSS, Johannes; (DE).
STRITZKER, Bernd; (DE)
Mandataire : PFENNING, MEINIG & PARTNER GBR; Patent- und Rechtsanwälte, Theresienhöhe 13, 80339 München (DE)
Données relatives à la priorité :
103 52 655.2 11.11.2003 DE
Titre (DE) HETEROEPITAXIESCHICHT UND VERFAHREN ZU IHRER HERSTELLUNG
(EN) HETEROEPITAXIAL LAYER AND METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF
(FR) COUCHE HETEROEPITAXIALE ET PROCEDE POUR SA PRODUCTION
Abrégé : front page image
(DE)Die vorliegenden Erfindung betrifft ein Wachstumssubstrat zur Herstellung von nicht-diamantenen epitaktischen Schichten mit einem Substrat (2) aus einkristallinem Silizium, mindestens einer auf dem Substrat angeordneten epitaktischen, vorteilhafterweise oxidischen Pufferschicht sowie mindestens einer auf der Pufferschicht angeordneten Metallschicht (4) enthaltend oder bestehend aus einem Übergangsmetall der 4., 5. Und/oder 6. Periode mit einem Schmelzpunkt grösser oder gleich 1200 K.
(EN)The invention relates to a growth substrate for producing non-adamantine epitaxial layers with a substrate (2) made of monocrystalline silicon, at least one epitaxial, preferably oxidic buffer layer which is disposed on the substrate, and at least one metal layer (4) that is arranged on the buffer layer and contains or is composed of a transition metal from the fourth, fifth, and/or sixth period, said transition metal having a melting point of 1200 K or more.
(FR)L'invention concerne un substrat de croissance servant à produire des couches épitaxiales qui ne sont pas en diamant. Le substrat de croissance selon l'invention comprend un substrat (2) en silicium monocristallin, au moins une couche tampon épitaxiale de préférence d'oxydation placée sur le substrat, ainsi qu'au moins une couche métallique (4) placée sur la couche tampon et contenant un métal de transition des périodes 4, 5 et/ou 6 ayant un point de fusion supérieur ou égal à 1200 K ou constituée d'un tel métal.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : allemand (DE)
Langue de dépôt : allemand (DE)