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1. (WO2005045968) PROCEDE DE FORMATION D'ELECTRODES A FILMS MINCES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2005/045968    N° de la demande internationale :    PCT/US2004/027331
Date de publication : 19.05.2005 Date de dépôt international : 20.08.2004
CIB :
C23C 14/34 (2006.01), C23C 14/54 (2006.01), H01M 4/88 (2006.01), H01M 8/12 (2006.01)
Déposants : HEWLETT PACKARD DEVELOPMENT COMPANY, L.P. [US/US]; 20555 S.H. 249, Houston, TX 77070 (US) (Tous Sauf US).
O'NEIL, James [US/US]; (US) (US Seulement).
MARDILOVICH, Peter [US/US]; (US) (US Seulement).
HERMAN, Gregory, S. [US/US]; (US) (US Seulement).
CHAMPION, David [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : O'NEIL, James; (US).
MARDILOVICH, Peter; (US).
HERMAN, Gregory, S.; (US).
CHAMPION, David; (US)
Mandataire : COLLINS, David; Hewlett-Packard Company, IP Administration, P.O Box 272400, Ft. Collins, CO 80527-2400 (US)
Données relatives à la priorité :
10/697,618 29.10.2003 US
Titre (EN) METHOD OF FORMING THIN-FILM ELECTRODES
(FR) PROCEDE DE FORMATION D'ELECTRODES A FILMS MINCES
Abrégé : front page image
(EN)A method of forming a fuel cell electrode includes providing a substrate (130) and at least one deposition device (110), developing a deposition characteristic profile having at least one porous layer based on pre-determined desired electrode properties, forming a film in accordance with the deposition characteristic profile by sputtering material from the deposition device (110) while varying a relative position of the substrate (130) in relation to the deposition device (110) with respect to at least a first axis.
(FR)L'invention concerne un procédé de formation d'une électrode de pile à combustible (800) consistant à fournir un substrat (130) et au moins un dispositif de formation de dépôt (110, 110a, 110b, 110c), à développer un profil caractéristique de formation de dépôt possédant au moins une couche poreuse reposant sur des propriétés d'électrode (800) souhaitées prédéterminées, à former un film en fonction du profil caractéristique de formation de dépôt par pulvérisation de matière du dispositif de formation de dépôt (110, 110a, 110b, 110c), tandis qu'une position relative du substrat (130) varie en fonction du dispositif de formation de dépôt par rapport à au moins un premier axe.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)