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1. (WO2005045911) PROCEDE POUR FORMER UN MOTIF, CIRCUIT ELECTRONIQUE FABRIQUE SELON LE PROCEDE ET DISPOSITIF ELECTRONIQUE UTILISANT CELUI-CI
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2005/045911    N° de la demande internationale :    PCT/JP2004/016599
Date de publication : 19.05.2005 Date de dépôt international : 09.11.2004
CIB :
H01L 21/027 (2006.01)
Déposants : ASAHI GLASS COMPANY, LIMITED [JP/JP]; 12-1, Yurakucho 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008405 (JP) (Tous Sauf US).
SATOH, Ryohei [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
IWATA, Yoshinori [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
NAKAGAWA, Koji [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
USUI, Reo [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : SATOH, Ryohei; (JP).
IWATA, Yoshinori; (JP).
NAKAGAWA, Koji; (JP).
USUI, Reo; (JP)
Mandataire : SENMYO, Kenji; Torimoto Kogyo Bldg. 38, Kanda-Higashimatsushitacho Chiyoda-ku, Tokyo 1010042 (JP)
Données relatives à la priorité :
2003-381662 11.11.2003 JP
2004-195306 01.07.2004 JP
Titre (EN) PATTERN FORMATION METHOD, ELECTRONIC CIRCUIT MANUFACTURED BY THE SAME, AND ELECTRONIC DEVICE USING THE SAME
(FR) PROCEDE POUR FORMER UN MOTIF, CIRCUIT ELECTRONIQUE FABRIQUE SELON LE PROCEDE ET DISPOSITIF ELECTRONIQUE UTILISANT CELUI-CI
(JA) パターン形成方法、およびこれにより製造される電子回路、並びにこれを用いた電子機器
Abrégé : front page image
(EN)There are provided a pattern formation method capable of accurately realizing a continuous thin film circuit pattern with a low environment load and at a low cost, an electronic circuit manufactured by the method, and an electronic device using it. The method includes: a step of forming a mask layer (2) on a substrate (1), a step of forming an opening pattern in the mask layer (2), a step of forming a thin film (3) on the substrate (1) and the mask layer (2), and a step of peeling off the mask layer (2) the thin film (3) formed on the mask layer (2) from the substrate (1). The opening pattern is formed under a dry condition.
(FR)L'invention concerne un procédé pour former des motifs permettant de réaliser précisément un motif pour circuit à couches minces continues comprenant une charge d'environnement faible et un faible coût, un circuit électronique fabriqué selon ledit procédé, et un dispositif électronique l'utilisant. Ledit procédé comprend les étapes suivantes : formation d'une couche de masque (2) sur un substrat (1), formation d'un motif d'ouverture dans la couche de masque (2), formation d'un film en couches mince (3) sur le substrat (1) et la couche de masque (2), et retrait de la couche de masque (2), le film en couche minces (3) formé sur la couche de masque (2) du substrat (1). Le motif d'ouverture est formé dans des conditions sèches.
(JA) 低コストおよび低環境負荷で、かつ連続した薄膜回路パターンを精度よく実現できるパターン形成方法、およびこれにより製造される電子回路、並びにこれを用いた電子機器を提供する。  基板1上にマスク層2を形成する工程と、上記マスク層2に開口パターンを形成する工程と、上記基板1上およびマスク層2上に薄膜3を形成する工程と、上記マスク層2および該マスク層2上に形成された薄膜3を基板1から剥離する工程とを含み、開口パターンを乾式条件下で形成する。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)