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1. (WO2005045909) DISPOSITIFS CONDENSATEURS FERROELECTRIQUES ET PROCEDE POUR COMPENSER L'ENDOMMAGEMENT D'UN CONDENSATEUR PROVOQUE PAR LA GRAVURE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2005/045909    N° de la demande internationale :    PCT/SG2004/000303
Date de publication : 19.05.2005 Date de dépôt international : 17.09.2004
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    05.09.2005    
CIB :
H01L 21/02 (2006.01)
Déposants : INFINEON TECHNOLOGIES AG [DE/SG]; St.-Martin-Strasse 53, 81669 Munich (DE) (Tous Sauf US).
MOON, Bum-Ki [KR/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : MOON, Bum-Ki; (US)
Mandataire : WATKIN, Timothy, Lawrence, Harvey; Lloyd Wise, Tanjong Pagar, P O Box 636, Singapore 910816 (SG).
POH, Chee Kian, Daniel; Lloyd Wise, Tanjong Pagar, P O Box 636, Singapore 910816 (SG)
Données relatives à la priorité :
10/703,870 07.11.2003 US
Titre (EN) FERROELECTRIC CAPACITOR DEVICES AND A METHOD FOR COMPENSATING FOR DAMAGE TO A CAPACITOR CAUSED BY ETCHING
(FR) DISPOSITIFS CONDENSATEURS FERROELECTRIQUES ET PROCEDE POUR COMPENSER L'ENDOMMAGEMENT D'UN CONDENSATEUR PROVOQUE PAR LA GRAVURE
Abrégé : front page image
(EN)A ferroelectric capacitor (17) in which damage caused by etching exposed faces (14) of a ferroelectric layer (2) of the capacitor is compensated by depositing a seeding layer (18) of ferroelectric material such as PZT on one or more exposed faces of the ferroelectric layer and depositing an electrode layer (16) made of conductive material such as platinum on the seeding layer. An oxygen annealing recovery process is applied to the device. The seeding layer can transform the phase of the damaged surfaces from amorphous to crystalline during the recovery annealing process and, at the same time, provide the damaged surfaces of the ferroelectric layer with missing element(s), for example lead. The oxygen necessary for recovery of the damage may be obtained through the platinum layer from the oxygen atmosphere.
(FR)L'invention concerne un condensateur ferroélectrique (17), dans lequel un endommagement causé par gravure de faces exposées (14) d'une couche ferroélectrique (2) est compensé par dépôt d'une couche d'amorçage (18) de matière ferroélectrique, telle que le PZT, sur une ou plusieurs faces exposées de la couche ferroélectrique et par dépôt d'une couche d'électrode (16) faite de matière conductrice, telle que le platine, sur la couche d'amorçage. Un processus de récupération par recuit sous oxygène est appliqué au dispositif. La couche d'amorçage peut transformer la phase des surfaces endommagées d'amorphe en cristalline pendant le processus de récupération par recuit et simultanément fournir aux surfaces endommagées de la couche ferroélectrique un ou des éléments manquants, par exemple du plomb. L'oxygène nécessaire à la récupération du dommage peut être obtenu par une couche de platine à partir de l'oxygène de l'atmosphère.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)