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1. (WO2005045846) DISPOSITIF DE MEMOIRE A SEMI-CONDUCTEURS ET PROCEDE DE FONCTIONNEMENT PAR SALVES DE CE DERNIER
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication : WO/2005/045846 N° de la demande internationale : PCT/JP2004/016296
Date de publication : 19.05.2005 Date de dépôt international : 04.11.2004
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 : 31.08.2005
CIB :
G11C 11/4096 (2006.01)
G PHYSIQUE
11
ENREGISTREMENT DE L'INFORMATION
C
MÉMOIRES STATIQUES
11
Mémoires numériques caractérisées par l'utilisation d'éléments d'emmagasinage électriques ou magnétiques particuliers; Eléments d'emmagasinage correspondants
21
utilisant des éléments électriques
34
utilisant des dispositifs à semi-conducteurs
40
utilisant des transistors
401
formant des cellules nécessitant un rafraîchissement ou une régénération de la charge, c. à d. cellules dynamiques
4063
Circuits auxiliaires, p.ex. pour l'adressage, le décodage, la commande, l'écriture, la lecture ou la synchronisation
407
pour des cellules de mémoire du type à effet de champ
409
Circuits de lecture-écriture (R-W)
4096
Circuits de commande ou de gestion d'entrée/sortie (E/S, I/O) de données, p.ex. circuits pour la lecture ou l'écriture, circuits d'attaque d'entrée/sortie, commutateurs de lignes de bits
Déposants : SUNAGA, Toshio[JP/JP]; JP (UsOnly)
HOSOKAWA, Kohji[JP/JP]; JP (UsOnly)
MIYATAKE, Hisatada[JP/JP]; JP (UsOnly)
NAKAMURA, Yutaka[JP/JP]; JP (UsOnly)
INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION[US/US]; New Orchard Road Armonk, NY 10504, US (AllExceptUS)
Inventeurs : SUNAGA, Toshio; JP
HOSOKAWA, Kohji; JP
MIYATAKE, Hisatada; JP
NAKAMURA, Yutaka; JP
Mandataire : SAKAGUCHI, Hiroshi; c/o Yamato site, IBM Japan Ltd. 1623-14, Shimotsuruma Yamato-shi Kanagawa 242-8502, JP
Données relatives à la priorité :
2003-37748506.11.2003JP
Titre (EN) SEMICONDUCTOR STORAGE DEVICE AND BURST OPERATION METHOD THEREOF
(FR) DISPOSITIF DE MEMOIRE A SEMI-CONDUCTEURS ET PROCEDE DE FONCTIONNEMENT PAR SALVES DE CE DERNIER
(JA) 半導体記憶装置及びそのバースト動作方法
Abrégé :
(EN) [PROBLEMS] To provide a PSRAM capable of increasing the burst length without increasing the current consumption and a method of the burst operation. [MEANS FOR SOLVING PROBLEMS] While a sense amplifier is activated, column selection lines (CSL1 and CSL2) are successively driven. This turns on bit switches (BSW1 to BSW8) by four and 8-bit read data (RD) is latched from bit line pairs (BL1 to BL8) by four bits by pre-fetch/pre-load latches (PFPLL1 to PFPLL8). The 8-bit read data (RD) is continuously outputted by one bit to a data I/O line (I/O1).
(FR) La présente invention concerne une PSRAM qui est capable d'augmenter la longueur de salve sans pour autant augmenter la consommation de courant, ainsi qu'un procédé de fonctionnement par salves. Dans ce procédé, alors qu'un amplificateur est activé, des lignes de sélection de colonnes (CSL1 et CSL2) sont successivement excitées. Ceci active à son tour des commutateurs binaires (BSW1 à BSW8) par quatre et des données de lecture à 8 bits (RD) sont verrouillées par des paires de lignes de bits (BL1 à BL8) de quatre bits par des verrous de prélecture/précharge (PFPLL1 à PFPLL8). Les données de lecture à 8 bits (RD) sont produites en continu et envoyées par un bit à une ligne I/O de données (I/01)
(JA) 【課題】消費電流を増大させることなく、バースト長を長くすることが可能なPSRAM及びそのバースト動作方法を提供する。 【解決手段】センスアンプが活性化されている間に列選択線CSL1及びCSL2が順に駆動される。これによりビットスイッチBSW1~BSW8が4つずつオンになり、ビット線対BL1~BL8から8ビットの読出データRDが4ビットずつプリフェッチ/プリロードラッチPFPLL1~PFPLL8にラッチされる。これら8ビットの読出データRDは、1ビットずつ順に1本のデータ入出力線I/O1に連続的に出力される。
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)