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1. (WO2005045524) PROCEDE DE FORMATION D'UNE COUCHE A MOTIF SUR UN SUBSTRAT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2005/045524    N° de la demande internationale :    PCT/IB2004/052253
Date de publication : 19.05.2005 Date de dépôt international : 01.11.2004
CIB :
B82B 3/00 (2006.01), G03F 7/00 (2006.01)
Déposants : KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V. [NL/NL]; Groenewoudseweg 1, NL-5621 BA Eindhoven (NL) (Tous Sauf US).
BURDINSKI, Dirk [DE/DE]; (GB) (US Seulement)
Inventeurs : BURDINSKI, Dirk; (GB)
Mandataire : WHITE, Andrew, G.; c/o Philips Intellectual Property & Standards, Cross Oak Lane, Redhill Surrey RH1 5HA (GB)
Données relatives à la priorité :
0325748.2 05.11.2003 GB
Titre (EN) A METHOD OF FORMING A PATTERNED LAYER ON A SUBSTRATE
(FR) PROCEDE DE FORMATION D'UNE COUCHE A MOTIF SUR UN SUBSTRAT
Abrégé : front page image
(EN)A method of forming a patterned self-assembled monolayer (20) on a substrate (24) by means of a soft lithographic patterning process, the method comprising: a) providing patterning means (10) for defining the required pattern of said patterned self-assembled monolayer (20); b) forming a self-assembled monolayer (20) on a surface (22) of said substrate (24); c) applying said patterning means (10) to said surface of said substrate (24), said patterning means (10) being arranged to deliver a modifier to selected areas of said substrate surface, said selected areas corresponding to said required pattern or a negative thereof, said modifier comprising a chemical and being arranged to alter at said selected areas the strength of interaction between the molecules of said self­assembled monolayer (10) and said surface of said substrate (24); and d) selectively removing or replacing areas of said self-assembled monolayer (20) that, after step c), exhibit a lower strength of interaction between the molecules thereof and said surface of said substrate, thereby to form a self-assembled monolayer (20) having said required pattern. The modifier may be selected to decrease or increase the strength of interaction between the molecules of the self­assembled monolayer and the uppermost surface of the substrate, as required by the process.
(FR)Un procédé de formation d'une monocouche à motif auto-assemblée (20) sur un substrat (24) à l'aide d'un processus de lithographie douce de formation de motifs consiste à: (a) prévoir des moyens de réalisation de motifs (10) pour définir le motif requis de ladite monocouche à motif auto-assemblée (20); (b) former une monocouche auto-assemblée (20) sur une surface (22) du substrat (24); (c) appliquer lesdits moyens de réalisation de motifs (10) sur la surface dudit substrat (24), ces moyens (10) étant agencés pour délivrer un modificateur dans des zones choisies de la surface du substrat qui correspondent au motif requis ou à un négatif de ce motif, ce modificateur comportant un produit chimique et étant destiné à modifier, au niveau des zones choisies, l'intensité de l'interaction entre les molécules de la monocouche auto-assemblée (10) et la surface dudit substrat (24); et (d) éliminer ou remplacer sélectivement des zones de ladite monocouche auto-assemblée (20) qui, après l'étape (c), présentent une intensité d'interaction plus faible entre leurs molécules et la surface dudit substrat, de sorte que l'on obtienne une monocouche auto-assemblée (20) qui présente le motif requis. Le modificateur peut être sélectionné de manière à accroître ou à réduire l'intensité de l'interaction entre les molécules de la monocouche auto-assemblée et la surface supérieure du substrat, selon les besoins du processus.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)