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1. (WO2005045450) INSTRUMENT DE MESURE DE CONDUCTIVITE SANS CONTACT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication : WO/2005/045450 N° de la demande internationale : PCT/JP2004/016410
Date de publication : 19.05.2005 Date de dépôt international : 05.11.2004
CIB :
G01N 22/00 (2006.01)
Déposants : Yang, Ju[CN/JP]; JP (UsOnly)
TOHOKU TECHNO ARCH CO., LTD.[JP/JP]; 468, Aza Aoba, Aramaki, Aoba-ku, Sendai-shi Miyagi 9800845, JP (AllExceptUS)
Inventeurs : Yang, Ju; JP
Mandataire : SHIGENOBU, Kazuo; 7F, Kioicho K Bldg. 3-28, Kioi-cho Chiyoda-ku Tokyo 102-0094, JP
Données relatives à la priorité :
60/518,75810.11.2003US
Titre (EN) NONCONTACT CONDUCTIVITY MEASURING INSTRUMENT
(FR) INSTRUMENT DE MESURE DE CONDUCTIVITE SANS CONTACT
(JA) 非接触導電率測定装置
Abrégé : front page image
(EN) [PROBLEMS] To provide a simple-structure noncontact conductivity measuring instrument using a microwave. [MEANS FOR SOLVING PROBLEMS] A microwave oscillated by an oscillator (110) using a Gunn diode is applied through an isolator (120), a circulator (130), and a horn antenna (140) to a silicon wafer (150). The isolator (120) is used for reducing the standing wave influencing the operation of the instrument. The reflected wave is received by the same horn antenna (140), detected by a detector (160) connected to the circulator (130), and outputted in the form of a voltage. The detector (160) produces an output voltage proportional to the square of the amplitude of an electric field. Since the amplitude of the reflected wave from a silicon wafer (150) is proportional to the absolute value of the reflectance, the output voltage is also proportional to the square of the absolute value of the reflectance. The reflectance is in a certain relationship with the conductivity, the conductivity of the silicon wafer (150) can be determined.
(FR) Cette invention vise à proposer une instrument de mesure de conductivité sans contact de structure simple utilisant une micro-onde. A cet effet, une micro-onde amenée à osciller sous l'action d'un oscillateur (110) utilisant une diode Gunn est appliquée par l'intermédiaire d'un isolateur (120), d'une circulateur (130) et d'une antenne-cornet (140) à une plaquette de silicium (150). L'isolateur (120) est utilisé pour réduire l'onde stationnaire influençant le fonctionnement de l'instrument. L'onde réfléchie est reçue par la même antenne-cornet (140), elle est détectée par un détecteur (160) connecté au circulateur (130) et elle est émise sous la forme d'une tension. Le détecteur (160) produit une tension de sortie proportionnelle au carré de l'amplitude d'une champ électrique. Dès lors que l'amplitude de l'onde réfléchie provenant d'une plaquette de silicium (150) est proportionnelle à la valeur absolue de la réflectance, la tension de sortie est également proportionnelle au carré de la valeur absolue de la réflectance. La réflectance se trouve dans une certaine relation avec la conductivité, et la conductivité de la plaquette de silicium (150) peut ainsi être déterminée.
(JA) 【課題】 マイクロ波を用いた、簡単な構成の非接触導電率計測装置の提供 【解決手段】 ガンダイオードを用いたオシレータ110で発振されたマイクロ波は、アイソレータ120、サーキュレータ130、ホーンアンテナ140を経てシリコンウェーハ150に照射される。アイソレータ120は、装置の動作に影響する定常波を減少させるために使用する。同一のホーンアンテナ140で反射波が受信され、サーキュレータ130と接続されているディテクタ160で検波されて、電圧として出力する。ディテクタ160では電界の振幅の二乗に比例した出力電圧が得られる。シリコンウェーハ150からの反射波の振幅は反射係数の絶対値に比例するため、出力電圧も反射係数の絶対値の二乗に比例する。反射係数と導電率とは一定の関係があるので、シリコンウェーハ150の導電率を求めることができる。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)