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1. (WO2005045381) CAPTEUR THERMIQUE INTÉGRÉ POUR TRANSISTORS À MICRO-ONDES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication : WO/2005/045381 N° de la demande internationale : PCT/US2004/036264
Date de publication : 19.05.2005 Date de dépôt international : 01.11.2004
CIB :
G01K 7/01 (2006.01) ,G01K 7/20 (2006.01) ,G01K 7/42 (2006.01) ,H01L 23/34 (2006.01)
Déposants : ADLERSTEIN, Michael, G.[US/US]; US (UsOnly)
RAYTHEON COMPANY[US/US]; 870 Winter Street Waltham, MA 02451-1449, US (AllExceptUS)
Inventeurs : ADLERSTEIN, Michael, G.; US
Mandataire : MOFFORD, Donald, F. ; Daly, Crowley, Mofford & Durkee, LLP 354A Turnpike Suite 301A Canton, MA 02021, US
Données relatives à la priorité :
10/701,04504.11.2003US
Titre (EN) AN INTEGRATED THERMAL SENSOR FOR MICROWAVE TRANSISTORS
(FR) CAPTEUR THERMIQUE INTÉGRÉ POUR TRANSISTORS À MICRO-ONDES
Abrégé : front page image
(EN) A circuit for determining temperature of an active semiconductor device disposed on a semiconductor substrate and a Wheatstone bridge circuit. The bridge has in each of four branches thereof a thermal sensitive device, one pair of such thermal sensitive devices being in thermal contact with an electrode of the active device. Another pair of such thermal sensitive devices is in thermal contact with the substrate. A tuning circuit is coupled to an output of the transistor, such tuning circuit having a tunable element controlled by a control signal fed to such tunable element. A processor is responsive to a voltage produced at an output of the Wheatstone bridge circuit and a signal representative of power fed to the transistor. The output provided by the Wheatstone bridge provides a measure of a temperature difference between the temperature of the transistor and ambient temperature.
(FR) Cette invention se rapporte à un circuit servant à déterminer la nature d'une dispositif à semi-conducteur actif disposé sur un substrat de semi-conducteur et un montage en pont de Wheatstone. Le montage en pont comporte dans chacune de ces quatre branches un capteur thermique, une paire de ces capteurs thermiques étant en contact thermique avec une électrode du dispositif actif. L'autre paire de ces capteurs thermique est en contact thermique avec le substrat. Un circuit de syntonisation est couplé à une sortie du transistor et comprend un élément syntonisable commandé par un signal de commande appliqué à l'élément syntonisable. Un processeur réagit à une tension produite à la sortie du montage en pont de Wheatstone et à un signal représentant la puissance alimentant le transistor. La sortie fournie par le montage en pont de Wheatstone fournit une mesure de la différence de température entre la température du transistor et la température ambiante.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)