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1. (WO2005044725) PROCEDE DE PRODUCTION DE CHLORE LIQUIDE TRES PUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2005/044725    N° de la demande internationale :    PCT/JP2004/015982
Date de publication : 19.05.2005 Date de dépôt international : 28.10.2004
CIB :
C01B 7/075 (2006.01)
Déposants : TOAGOSEI CO., LTD. [JP/JP]; 1-14-1, Nishi-Shimbashi Minato-ku, Tokyo 1058419 (JP) (Tous Sauf US).
KIMATA, Yoshinori [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
KANOU, Hiroyuki [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
NARIMATSU, Shinzou [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : KIMATA, Yoshinori; (JP).
KANOU, Hiroyuki; (JP).
NARIMATSU, Shinzou; (JP)
Données relatives à la priorité :
2003-375769 05.11.2003 JP
Titre (EN) METHOD FOR PRODUCING HIGH PURITY LIQUID CHLORINE
(FR) PROCEDE DE PRODUCTION DE CHLORE LIQUIDE TRES PUR
(JA) 高純度液体塩素の製造方法
Abrégé : front page image
(EN)[PROBLEMS] To provide a method for producing high purity liquid chlorine scarcely containing hydrogen chloride, water and carbon dioxide, with excellent production efficiency in large quantity. [MEANS FOR SOLVING PROBLEMS] A method for producing high purity liquid chlorine wherein liquid chlorine is distilled under pressure, a gas effluent is cooled in a cooler and separated into a liquefied component and a gaseous material, a part or the whole of said liquefied component is transferred to a product receiving tank as liquid chlorine, characterized in that it comprises providing a by-pass at a midpoint of a piping connecting the liquid outlet of the above cooler and the liquid chlorine tank, taking a part of the above liquefied component into a flow cell for the infrared ray absorbance measurement provided in said by-pass, measuring the contents of impurities in said liquefied component, and transferring the liquefied component having targeted values of impurities to the product receiving tank. The above method allows easy production of a high purity liquid chlorine containing 2 ppm or less of water, 5 ppm or less of hydrogen chloride and 2 ppm or less of carbon dioxide, which high purity chlorine can be suitably used in a semiconductor manufacturing process.
(FR)Les problèmes posés par l'invention consistent en l'obtention d'un procédé de production de chlore liquide très pur contenant très peu de chlorure d'hydrogène, d'eau et de dioxyde de carbone, avec un excellent rendement de production en grande quantité. Le moyen pour résoudre les problèmes précités se présente sous la forme d'un procédé de production de chlore liquide très pur dans lequel le chlore liquide est distillé sous pression, un effluent gazeux est refroidi dans un refroidisseur et est séparé en un constituant liquéfié et une matière gazeuse, une partie ou la totalité dudit constituant liquéfié est transférée dans un réservoir récepteur de produit sous la forme de chlore liquide, le procédé est caractérisé en ce qu'il consiste à ménager une dérivation au niveau d'un point médian d'un conduit reliant la sortie de liquide du refroidisseur précité et le réservoir de chlore liquide, à prendre une partie du constituant liquéfié précité à l'intérieur d'une cellule d'écoulement pour effectuer une mesure d'absorbance de rayons infrarouges située dans ladite dérivation, à mesurer le contenu d'impuretés dans ledit constituant liquéfié, et à transférer le constituant liquéfié ayant les valeurs ciblées d'impuretés jusque dans le réservoir récepteur du produit. le procédé précité permet la production facile de chlore liquide très pur contenant 2 ppm ou moins d'eau, 5 ppm ou moins de chlorure d'hydrogène et 2 ppm ou moins de dioxyde de carbone, lequel chlore très pur peut être utilisé de façon idoine dans un processus de production de semi-conducteurs.
(JA)【課題】 塩化水素、水および二酸化炭素が殆ど含まれていない高純度液体塩素を、優れた生産効率で大量に生産する方法の提供。 【解決手段】 液体塩素を加圧下で蒸留して、留出するガスを冷却器で液化成分とガス状物質とに分離し、該液化成分の一部または全部を液体塩素として製品受槽に移送することからなる高純度液体塩素の製造方法において、前記冷却器の液出口と液体塩素タンクを連結する配管の中途にバイパスを設け、該バイパス内に設置した赤外線吸光度測定フローセルに前記液化成分の一部を採取し、該液化成分中の不純物濃度を測定し、不純物濃度が目標値に達した液化成分を製品受槽に移送することを特徴とする高純度液体塩素の製造方法。本発明によれば、水2ppm以下、塩化水素5ppm以下および二酸化炭素2ppm以下の高純度液体塩素が容易に得られ、かかる高純度な液体塩素は、半導体製造プロセス用に好適である。                                                                                 
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)