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1. (WO2005043733) APPAREIL FONCTIONNANT COMME POMPE DE CHARGE A HAUTE TENSION ET CIRCUIT CORRESPONDANT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2005/043733    N° de la demande internationale :    PCT/IB2004/003575
Date de publication : 12.05.2005 Date de dépôt international : 29.10.2004
CIB :
H02M 3/07 (2006.01)
Déposants : KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V. [NL/NL]; Groenewoudseweg 1, NL-5621 BA Eindhoven (NL) (Tous Sauf US).
BECKER, Rolf Friedrich Philipp [DE/FR]; (FR) (US Seulement)
Inventeurs : BECKER, Rolf Friedrich Philipp; (FR)
Mandataire : VAN OUDHEUSDEN-PERSET, Laure; Société Civile SPID, 156 Boulevard Haussmann, F-75008 PARIS (FR)
Données relatives à la priorité :
03300193.4 03.11.2003 EP
Titre (EN) APPARATUS SERVING AS HIGH VOLTAGE CHARGE PUMP AND CIRCUIT BASED THEREON
(FR) APPAREIL FONCTIONNANT COMME POMPE DE CHARGE A HAUTE TENSION ET CIRCUIT CORRESPONDANT
Abrégé : front page image
(EN)Apparatus (40) for providing at an output (44) an output voltage (Vext) that is greater than an input voltage (Vsupply) that is applied to an input (43). The apparatus (40) comprises an input charge pump stage (41.1) and an output charge pump stage (40.2). Each charge pump stage (40.1, 40.2) comprises an input node (43, 46), an output node (46, 44), and a transistor (NSW, PSW) serving as switch. Furthermore, each charge pump stage (40.1, 40.2) comprises a switch control circuit (42.1, 42.2) with two buffers (41.2, 41.3, 41.4, 41.5), two capacitors (Caux1, Caux2, Caux3, Caux4), and a diode network with several diodes (D1 - D4, D5 - D8). The switch control circuit (42.1, 42.2) drives the respective transistor (NSW, PSW). A pump buffer (41.1) with a charge pump capacitor (Ccp1) is coupled to the output node (46) of the input charge pump stage (41.1). The output node (46) of the input charge pump stage (41.1) is coupled to the input node (46) of a subsequent charge pump stage (41.2), and a load capacitor (Cext) is situated at the output node (44) of the output charge pump stage (41.2).
(FR)Appareil (40) fournissant, au niveau d'une sortie (44), une tension de sortie (Vext) supérieure à une tension d'entrée (Vsupply) appliquée à une entrée (43). Ledit appareil (40) comporte un étage de pompe de charge d'entrée (41.1) et un étage de pompe de charge de sortie (40.2). Chaque étage de pompe de charge (40.1, 40.2) comporte un noeud d'entrée (43, 46), un noeud de sortie (46, 44) et un transistor (NSW, PSW) agissant comme un commutateur. En outre, chaque étage de pompe de charge (40.1, 40.2) comporte un circuit de commande de commutateur (42.1, 42.2) équipé de deux circuits tampons (41.2, 41.3, 41.4, 41.5), de deux condensateurs (Caux1, Caux2, Caux3, Caux4), et d'un réseau présentant une pluralité de diodes (D1 - D4, D5 - D8). Le circuit de commande de commutateur (42.1, 42.2) pilote le transistor respectif (NSW, PSW). Un circuit tampon de pompe (41.1) associé à un condensateur de pompe de charge (Ccp1) est couplé au noeud de sortie (46) de l'étage de pompe de charge d'entrée (41.1). Le noeud de sortie (46) de l'étage de pompe de charge d'entrée (41.1) est couplé au noeud d'entrée (46) d'un étage de pompe de charge suivant (41.2), et un condensateur de charge (Cext) est situé au niveau du noeud de sortie (44) de l'étage de pompe de charge de sortie (41.2).
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)