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1. (WO2005043630) TRANSISTOR A COUCHES MINCES ORGANIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication : WO/2005/043630 N° de la demande internationale : PCT/JP2004/016293
Date de publication : 12.05.2005 Date de dépôt international : 27.10.2004
CIB :
H01L 51/30 (2006.01)
Déposants : NAKAMURA, Hiroaki[JP/JP]; JP (UsOnly)
YAMAMOTO, Hiroshi[JP/JP]; JP (UsOnly)
IDEMITSU KOSAN CO., LTD.[JP/JP]; 1-1, Marunouchi 3-chome Chiyoda-ku, Tokyo 1008321, JP (AllExceptUS)
Inventeurs : NAKAMURA, Hiroaki; JP
YAMAMOTO, Hiroshi; JP
Mandataire : OHTANI, Tamotsu; OHTANI PATENT OFFICE Bridgestone Toranomon Bldg. 6F. 25-2, Toranomon 3-chome Minato-ku, Tokyo 1050001, JP
Données relatives à la priorité :
2003-37255831.10.2003JP
Titre (EN) ORGANIC THIN FILM TRANSISTOR
(FR) TRANSISTOR A COUCHES MINCES ORGANIQUE
(JA) 有機薄膜トランジスタ
Abrégé : front page image
(EN) Disclosed is an organic thin film transistor wherein at least three terminals, namely a gate electrode, a source electrode and a drain electrode, an insulating layer and an organic semiconductor layer are formed on a substrate, and the current between the source and drain is controlled by applying a voltage to the gate electrode. The organic semiconductor layer contains a nitrogen-containing heterocyclic compound wherein a five-membered nitrogen-containing ring is condensed with a five-membered or six-membered ring in the condensed portion. Such an organic thin film has a high response speed and a large on/off ratio.
(FR) Transistor à couches minces organique dans lequel au moins trois bornes, à savoir une électrode grille, une électrode source et une électrode drain, une couche d'isolation et une couche semi-conductrice organique sont formées sur un substrat, et le courant entre la source et le drain est régulé par l'application d'une tension sur l'électrode grille. La couche semi-conductrice organique contient un composé hétérocyclique renfermant de l'azote, un cycle contenant de l'azote et à cinq éléments étant condensé avec un cycle à cinq éléments ou à six éléments dans la partie condensée. Une couche mince organique de ce type possède une vitesse de réponse élevée et un rapport marche / arrêt élevé.
(JA) 本発明は、少なくとも基板上にゲート電極、ソース電極、ドレイン電極の3端子、絶縁体層及び有機半導体層が設けられ、ソース−ドレイン間電流をゲート電極に電圧を印加することによって制御する薄膜トランジスタにおいて、前記有機半導体層が、縮合部位に窒素原子を有する5員環と5員環又は6員環とが縮合した含窒素ヘテロ環化合物を含む有機薄膜トランジスタであり、応答速度が高速で、しかもオン/オフ比が大きい。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)