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1. (WO2005043629) PROCEDE DE PRODUCTION D'UN TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP VERTICAL ET TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2005/043629    N° de la demande internationale :    PCT/EP2004/052485
Date de publication : 12.05.2005 Date de dépôt international : 08.10.2004
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    25.06.2005    
CIB :
H01L 21/28 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01), H01L 29/786 (2006.01), H01L 29/788 (2006.01), H01L 29/792 (2006.01)
Déposants : INFINEON TECHNOLOGIES AG [DE/DE]; St.-Martin-Str. 53, 81669 München (DE) (Tous Sauf US).
TEWS, Helmut [DE/DE]; (DE) (US Seulement)
Inventeurs : TEWS, Helmut; (DE)
Mandataire : KARL, Frank; Patentanwälte Kindermann, P.O. Box 100234, 85593 Baldham (DE)
Données relatives à la priorité :
10350751.5 30.10.2003 DE
Titre (DE) VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINES VERTIKALEN FELDEFFEKTTRANSISTORS UND FELDEFFEKTTRANSISTOR
(EN) METHOD FOR PRODUCING A VERTICAL FIELD EFFECT TRANSISTOR
(FR) PROCEDE DE PRODUCTION D'UN TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP VERTICAL ET TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP
Abrégé : front page image
(DE)Erläutert wird unter anderem ein Verfahren zum Herstellen eines Feldeffekttransistors, bei dem mehrere Schichten jeweils abgeschieden, planarisiert und rückgeätzt werden, insbesondere eine Gateelektrodenschicht (60). Durch diese Vorgehensweise entstehen Transistoren mit hervorragenden elektrischen Eigenschaften und hervorragender Reproduzierbarkeit.
(EN)The invention relates to a method for producing a field effect transistor, according to which several layers, in particular a gate electrode layer (60), are respectively deposited, planarised and re-etched. Said method permits the production of transistors which can be easily reproduced and have excellent electrical characteristics.
(FR)L'invention concerne un procédé de production d'un transistor à effet de champ, selon lequel plusieurs couches, en particulier une couche d'électrode grille (60), sont déposées, planarisées et gravées en retrait. Ce procédé permet d'obtenir des transistors présentant d'excellentes propriétés électriques et une excellente reproductibilité.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : allemand (DE)
Langue de dépôt : allemand (DE)