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1. (WO2005043616) PROCEDE DE TRANSFERT CATASTROPHIQUE D'UNE COUCHE FINE APRES CO­-IMPLANTATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2005/043616    N° de la demande internationale :    PCT/FR2004/002781
Date de publication : 12.05.2005 Date de dépôt international : 28.10.2004
CIB :
H01L 21/762 (2006.01)
Déposants : S.O.I. TEC SILICON ON INSULATOR TECHNOLOGIES [FR/FR]; Parc Technologique des Fontaines, Chemin des Franques, F-38190 Bernin (FR) (Tous Sauf US).
COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE [FR/FR]; 31/33, rue de la Fédération, F-75752 Paris Cedex 15 (FR) (Tous Sauf US).
NGUYEN, Nguyet-Phuong [VN/FR]; (FR) (US Seulement).
CAYREFOURCQ, Ian [FR/FR]; (FR) (US Seulement).
LAGAHE-BLANCHARD, Christelle [FR/FR]; (FR) (US Seulement)
Inventeurs : NGUYEN, Nguyet-Phuong; (FR).
CAYREFOURCQ, Ian; (FR).
LAGAHE-BLANCHARD, Christelle; (FR)
Mandataire : SANTARELLI; 14, avenue de la Grande Armée, BP 237, F-75822 Paris Cedex 17, FR (FR)
Données relatives à la priorité :
0312621 28.10.2003 FR
Titre (EN) METHOD FOR THE CATASTROPHIC TRANSFER OF A THIN LAYER AFTER CO-IMPLANTATION
(FR) PROCEDE DE TRANSFERT CATASTROPHIQUE D'UNE COUCHE FINE APRES CO­-IMPLANTATION
Abrégé : front page image
(EN)The invention relates to a method for the catastrophic transfer of a thin layer. The inventive method comprises the following steps consisting in: implanting a first ion or gas species at a given depth and a second ion or gas species in a source substrate, whereby the first species can generate defects and the second species can occupy said defects; applying a stiffener such that it is in close contact with the source substrate; applying a heat treatment to the source substrate at a given temperature for a given period of time, such as to create a weakened buried zone essentially at the given depth without causing the thermal detachment of a thin layer; and applying a localised energy supply, for example, mechanical stresses, to the source substrate such as to cause the catastrophic detachment of a thin layer having a face, opposite said face, with a roughness lower than a given threshold.
(FR)L'invention concerne un procédé de transfert catastrophique d'une couche fine selon lequel on implante dans un substrat-source une première espèce d'ions ou de gaz à une profondeur donnée et une seconde espèce d'ions ou de gaz, cette première espèce étant apte à générer des défauts et la seconde espèce étant apte à occuper ces défauts, on applique un raidisseur en contact intime avec le substrat-source, on applique un traitement thermique à ce substrat-source, à une température donnée pendant un temps donné, en sorte de créer, sensiblement à la profondeur donnée, une zone enterrée fragilisée, sans initier le détachement thermique d'une couche fine, on applique un apport localisé d'énergie, par exemple des contraintes mécaniques, à ce substrat-source en sorte de provoquer le détachement catastrophique d'une couche fine ayant à l'opposé de la dite face, une face dont la rugosité est inférieure à un seuil donné.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : français (FR)
Langue de dépôt : français (FR)