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1. (WO2005043102) CAPTEUR DE CHARGE ET SON PROCEDE DE FABRICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2005/043102    N° de la demande internationale :    PCT/JP2004/015980
Date de publication : 12.05.2005 Date de dépôt international : 28.10.2004
CIB :
G01L 1/22 (2006.01)
Déposants : MATSUSHITA ELECTRIC INDUSTRIAL CO., LTD. [JP/JP]; 1006, Oaza Kadoma Kadoma-shi, Osaka 5718501 (JP) (Tous Sauf US).
NAKAO, Keiichi; (US Seulement).
MIZUKAMI, Yukio; (US Seulement)
Inventeurs : NAKAO, Keiichi; .
MIZUKAMI, Yukio;
Mandataire : IWAHASHI, Fumio; c/o Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. 1006, Oaza Kadoma Kadoma-shi, Osaka 5718501 (JP)
Données relatives à la priorité :
2003-374121 04.11.2003 JP
Titre (EN) LOAD SENSOR AND ITS MANUFACTURING METHOD
(FR) CAPTEUR DE CHARGE ET SON PROCEDE DE FABRICATION
(JA) 荷重センサ及びその製造方法
Abrégé : front page image
(EN)A load sensor comprises a substrate, a glass layer formed on the substrate, a wiring formed on the glass layer, an adjustment layer formed on the glass layer, and a strain-sensitive resistor formed on the adjustment layer and connected to the wiring. The thermal expansion coefficient of the adjustment layer is closer to that of the glass layer than that of the strain-sensitive resistor. The stress remaining within the resistor of the load sensor is reduced, thereby suppressing the variation with time of the resistance value. Therefore, with one resistor, a load sensor can be formed on a substrate of any of various thermal expansion coefficients, any of various shapes, and any of various thicknesses, thus providing load sensors of various specifications.
(FR)L'invention porte sur un capteur de charge comprenant un substrat sur lequel est formée une couche de verre, un câblage formé sur la coche de verre et une résistance sensible à la tension mécanique et formée sur la couche d'ajustement et raccordée au câblage. Le coefficient de dilatation thermique de la couche d'ajustement est plus proche de celui de la couche de verre que de celui de la résistance sensible à la tension mécanique. La tension restante dans la résistance du capteur de charge est réduite, ce qui supprime la variation en temps de la valeur de la résistance. Ainsi, avec une résistance, il est possible de former un capteur de charge sur un substrat de coefficients de dilatation thermique quelconques, de formes diverses et de différentes épaisseurs, ce qui permet d'obtenir des capteurs de charge de diverses spécifications.
(JA) 荷重センサは、基板と、基板上に形成されたガラス層と、ガラス層上に形成された配線と、ガラス層上に形成された調整層と、調整層上に形成され、配線に接続された感歪抵抗体とを備える。ガラス層の熱膨張係数より調整層の熱膨張係数は感歪抵抗体の熱膨張係数に近い。この荷重センサでは、抵抗体の内部に残る応力が低減され、その抵抗値の経時変化が抑えられる。したがって、1種類の抵抗体で様々な熱膨張係数や形状、厚みの基板上に形成することができ、様々な仕様の荷重センサが得られる。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)