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1. (WO2005042401) PROCEDE ET DISPOSITIF POUR ASSEMBLER SOLIDEMENT, DE MANIERE ISOLANTE ET ELECTROCONDUCTRICE, DES PLAQUETTES DE SEMICONDUCTEURS TRAITEES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2005/042401    N° de la demande internationale :    PCT/DE2004/002413
Date de publication : 12.05.2005 Date de dépôt international : 29.10.2004
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    02.07.2005    
CIB :
B81B 7/00 (2006.01)
Déposants : X-FAB SEMICONDUCTOR FOUNDRIES AG [DE/DE]; Haarbergstrasse 67, 99097 Erfurt (DE) (Tous Sauf US).
KNECHTEL, Roy [DE/DE]; (DE) (US Seulement)
Inventeurs : KNECHTEL, Roy; (DE)
Mandataire : LEONHARD OLGEMOELLER FRICKE; Postfach 10 09 62, 80083 Muenchen (DE)
Données relatives à la priorité :
103 50 460.5 29.10.2003 DE
Titre (DE) FESTES ISOLIERENDES UND ELEKTRISCH LEITENDES VERBINDEN PROZESSIERTER HALBLEITERSCHEIBEN
(EN) METHOD AND DEVICE FOR SECURE, INSULATED AND ELECTRICALLY CONDUCTIVE ASSEMBLING OF TREATED SEMICONDUCTOR WAFERS
(FR) PROCEDE ET DISPOSITIF POUR ASSEMBLER SOLIDEMENT, DE MANIERE ISOLANTE ET ELECTROCONDUCTRICE, DES PLAQUETTES DE SEMICONDUCTEURS TRAITEES
Abrégé : front page image
(DE)Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren und eine Anordnung der Verbindung von prozessierten Halbleiterscheiben (1,2), wobei zusätzlich zu dem festen Zusammenfügen eine elektrische Verbindung (5) zwischen den Halbleiterscheiben bzw. zwischen den diese tragenden elektronischen Strukturen (3) vorhanden ist. Dazu werden zwecks fester Verbindung niedrig schmelzende strukturierte Glaszwischenschichten (6; 6a) als Isolierschichten und als elektrische Verbindung in Form von elektrisch leitfähigem Lot (5) auf Glasbasis eingesetzt.
(EN)The invention concerns a method and a device for assembling treated semiconductor wafers (1, 2), for obtaining not only a secure assembly, but an electrical connection (5) between the semiconductor wafers or between the electronic structures (3) comprising the latter as well. The invention is characterized in that the secure assembly is produced by means of structured intermediate glass layers (6; 6a), with low melting point, acting as insulating layers, and the electrical connection is produced by means of an electroconductive sealing glass (5).
(FR)L'invention concerne un procédé et un dispositif pour assembler des plaquettes de semiconducteurs traitées (1,2), permettant de réaliser non seulement un assemblage solide, mais aussi une connexion électrique (5) entre les plaquettes de semiconducteur ou entre les structures électroniques (3) comportant ces dernières. Selon l'invention, l'assemblage solide est réalisé au moyen de couches intermédiaires en verre (6; 6a), structurées, à bas point de fusion, servant de couches isolantes, et la connexion électrique est réalisée au moyen d'un verre de scellement électroconducteur (5).
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : allemand (DE)
Langue de dépôt : allemand (DE)