WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2005041288) SOURCE/DRAIN EPITAXIALEMENT DEPOSE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication : WO/2005/041288 N° de la demande internationale : PCT/US2004/035204
Date de publication : 06.05.2005 Date de dépôt international : 22.10.2004
CIB :
H01L 21/336 (2006.01)
Déposants : LINDERT, Nick[US/US]; US (UsOnly)
MURTHY, Anand[IN/US]; US (UsOnly)
BRASK, Justin[CA/US]; US (UsOnly)
INTEL CORPORATION[US/US]; 2200 Mission College Boulevard Santa Clara, CA 95052, US (AllExceptUS)
Inventeurs : LINDERT, Nick; US
MURTHY, Anand; US
BRASK, Justin; US
Mandataire : TROP, Timothy, N.; Trop, Pruner & Hu, P.C. 8554 Katy Freeway Suite 100 Houston, TX 77024 , US
Données relatives à la priorité :
10/692,69624.10.2003US
Titre (EN) EPITAXIALLY DEPOSITED SOURCE/DRAIN
(FR) SOURCE/DRAIN EPITAXIALEMENT DEPOSE
Abrégé : front page image
(EN) An epitaxially deposited source/drain extension may be formed for a metal oxide semiconductor field effect transistor. A sacrificial layer may be formed and etched away to undercut under the gate electrode. Then a source/drain extension of epitaxial silicon may be deposited to extend under the edges of the gate electrode. As a result, the extent by which the source/drain extension extends under the gate may be controlled by controlling the etching of the sacrificial material. Its thickness and depth may be controlled by controlling the deposition process. Moreover, the characteristics of the source/drain, extension may be controlled independently of those of the subsequently formed deep or heavily doped source/drain junction.
(FR) L'invention concerne une extension de source/drain épitaxialement déposée pouvant être formée d'un transistor à effet de champ à semiconducteur d'oxyde de métal. La couche sacrificielle peut être formée et gravée afin de dégager la partie inférieure de l'électrode de grille. Ensuite, une extension de source/drain de silicium épitaxiale peut être déposée jusque sous les bords de l'électrode de grille. Il en résulte que l'étendue sur laquelle l'extension de source/drain s'étend sous la grille peut être régulée par régulation de la gravure du matériau sacrificiel. Son épaisseur et sa profondeur peuvent être régulées par régulation du procédé de dépôt. En outre, les caractéristiques de l'extension de source/drain peuvent être régulées de façon indépendante par rapport à la profondeur formée ultérieurement ou à la jonction de source/drain fortement dopée.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)