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1. (WO2005041243) SYSTEME DE DETECTION D'ELECTRONS POUR MICROSCOPE ELECTRONIQUE A BALAYAGE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2005/041243    N° de la demande internationale :    PCT/PL2004/000079
Date de publication : 06.05.2005 Date de dépôt international : 06.10.2004
CIB :
H01J 37/244 (2006.01)
Déposants : POLITECHNIKA WROCLAWSKA [PL/PL]; Wyb. Stanislawa Wyspianskiego 27, PL-50-370 Wroclaw (PL) (Tous Sauf US).
SLOWKO, Witold [PL/PL]; (PL) (US Seulement)
Inventeurs : SLOWKO, Witold; (PL)
Mandataire : KOZLOWSKA, Regina; Biuro ds Wynalazczosci i Ochrony, Patentowej, Politechnika Wroclawska, Wyb. Stanislawa Wyspianskiego 27, PL-50-370 Wroclaw (PL)
Données relatives à la priorité :
P-363131 27.10.2003 PL
Titre (EN) ELECTRON DETECTION SYSTEM FOR A SCANNING ELECTRON MICROSCOPE
(FR) SYSTEME DE DETECTION D'ELECTRONS POUR MICROSCOPE ELECTRONIQUE A BALAYAGE
Abrégé : front page image
(EN)The electron detection system for a scanning electron microscope is mounted in the head body (1), made of teflon. In the lower part of the head body (1), the lower throttling aperture (2) of the form of the metal plate with a small hole at the axis of the electron beam WE is placed. Above the lower throttling aperture (2), the micro-porous plate (3) is located. The micro-porous plate (3) has a hole at the axis of the electron beam WE, in which the screen pipe (4) is fastened by means of the teflon sealing. Over the micro-porous plate (3), scintillators (5) are disposed symmetrically around the electron beam WE axis. Scintillators (5) are connected with the light pipes (6) that lead to photomultipliers.
(FR)L'invention concerne un système de détection d'électrons destiné à un microscope électronique à balayage. Ce système de détection d'électrons est monté dans le corps de tête (1) en téflon. Dans la partie inférieure du corps de tête (1), se trouve l'ouverture d'étranglement inférieure (2), définie par une plaque de métal comportant un petit trou dans l'axe du faisceau d'électrons (WE). Au-dessus de l'ouverture d'étranglement inférieure (2) est placée une plaque microporeuse (3). Cette plaque microporeuse (3) comporte un trou situé dans l'axe du faisceau d'électrons (WE), trou dans lequel le tube de criblage est fixé au moyen d'un élément d'étanchéité en téflon. Sur ladite plaque microporeuse (3), des scintillateurs (5) sont disposés symétriquement autour de l'axe du faisceau d'électrons (WE). Ces scintillateurs (5) sont reliés aux conducteurs de lumière (6) qui conduisent la lumière jusqu'à des photomultiplicateurs.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)