WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
PATENTSCOPE sera indisponible quelques heures pour des raisons de maintenance le samedi 18.08.2018 à 09:00 CEST
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2005041227) PROCEDE DE TRI DE NANOTUBES DE CARBONE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication : WO/2005/041227 N° de la demande internationale : PCT/US2004/033433
Date de publication : 06.05.2005 Date de dépôt international : 07.10.2004
CIB :
B82B 3/00 (2006.01) ,C01B 31/02 (2006.01) ,C23F 13/02 (2006.01) ,H01L 51/30 (2006.01)
Déposants : INTEL CORPORATION[US/US]; (a Delaware Coprporation) 2200 Mission College Boulevard Santa Clara, CA 95052, US (AllExceptUS)
Inventeurs : DUBIN, Valery; US
Mandataire : HARRIS, Scott, C. ; Fish & Richardson P.C. 12390 El Camino Real San Diego, CA 92130, US
Données relatives à la priorité :
10/688,85417.10.2003US
Titre (EN) METHOD OF SORTING CARBON NANOTUBES
(FR) PROCEDE DE TRI DE NANOTUBES DE CARBONE
Abrégé :
(EN) A method for sorting nanotubes and forming devices based upon selective nanotube types is provided. The disclosure provides methods of sorting semiconducting nanotubes useful in the formation of field effect transistors, diodes, and resistors. The disclosure also provides methods of sorting metallic nanotubes useful in the formation of interconnect devices. Methods provided include the selective depletion of a nanotube and the application of a high current through the others, and cathodic protection of a nanotube and the application of an acid.
(FR) L'invention concerne un procédé permettant de trier les nanotubes de carbone et de former des dispositifs à partir de types sélectifs de nanotubes. L'invention porte également sur des procédés de tri de nanotubes semi-conducteurs convenant pour la production de transistors à effet de champ, de diodes et de résistances. L'invention concerne en outre des procédés de tri de nanotubes métalliques convenant pour la production de dispositifs d'interconnexion.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)