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PATENTSCOPE

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1. (WO2005041199) PROCEDE ET CONFIGURATION DE CIRCUIT POUR PLUSIEURS RECYCLAGES DE CHARGES AU COURS DES RAFRAICHISSEMENTS DANS UN DISPOSITIF DRAM
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication : WO/2005/041199 N° de la demande internationale : PCT/EP2004/011492
Date de publication : 06.05.2005 Date de dépôt international : 13.10.2004
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 : 23.05.2005
CIB :
G11C 5/06 (2006.01) ,G11C 7/06 (2006.01) ,G11C 11/406 (2006.01) ,G11C 11/4074 (2006.01) ,G11C 11/4091 (2006.01)
Déposants : HAN, Jonghee[KR/US]; US (UsOnly)
KIM, Jung Pill[KP/US]; US (UsOnly)
INFINEON TECHNOLOGIES AG[DE/DE]; St.-Martin-Str. 53 81669 Munich, DE (AllExceptUS)
Inventeurs : HAN, Jonghee; US
KIM, Jung Pill; US
Mandataire : SCHOPPE, Fritz ; Postfach 246 82043 Pullach, DE
Données relatives à la priorité :
10/692,11923.10.2003US
Titre (EN) METHOD AND CIRCUIT CONFIGURATION FOR MULTIPLE CHARGE RECYCLING DURING REFRESH OPERATIONS IN A DRAM DEVICE
(FR) PROCEDE ET CONFIGURATION DE CIRCUIT POUR PLUSIEURS RECYCLAGES DE CHARGES AU COURS DES RAFRAICHISSEMENTS DANS UN DISPOSITIF DRAM
Abrégé : front page image
(EN) Methods and circuit configurations for multiple recycling of charge during a refresh operation in a memory device, such as a dynamic random access memory (DRAM) device, are provided. Charge from one or more power lines of a first array of bit line sense amplifiers involved in a first refresh operation may be transferred (610) to one or more power lines of at least second and third arrays of bit line sense amplifiers involved in subsequent refresh operations.
(FR) L'invention porte sur des procédés et des configurations de circuit pour plusieurs recyclages de charges au cours d'un rafraîchissement dans un dispositif de mémoire ; tel un dispositif à mémoire dynamique à accès aléatoire. La charge d'une ou plusieurs lignes de puissance d'un premier réseau d'amplificateurs de détection de ligne de bits impliqués dans une premier rafraîchissement peut être transférée (610) vers une ou plusieurs lignes de puissance d'au moins un deuxième et troisième réseau d'amplificateurs de détection de lignes de bits impliqués dans des rafraîchissements ultérieurs.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)