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1. (WO2005040921) COMPOSITION DE RESINE PHOTOSENSIBLE POUR FAISCEAU ELECTRONIQUE OU LUMIERE ULTRAVIOLETTE EXTREME
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2005/040921    N° de la demande internationale :    PCT/JP2004/015503
Date de publication : 06.05.2005 Date de dépôt international : 20.10.2004
CIB :
G03F 7/004 (2006.01), G03F 7/039 (2006.01), H01L 21/027 (2006.01)
Déposants : TOKYO OHKA KOGYO CO., LTD. [JP/JP]; 150, Nakamaruko, Nakahara-ku, Kawasaki-shi, Kanagawa 2110012 (JP) (Tous Sauf US).
WATANABE, Takeo [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
HADA, Hideo [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
KINOSHITA, Hiroo [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : WATANABE, Takeo; (JP).
HADA, Hideo; (JP).
KINOSHITA, Hiroo; (JP)
Mandataire : TANAI, Sumio; 2-3-1, Yaesu, Chuo-ku, Tokyo 1048453 (JP)
Données relatives à la priorité :
2003-362223 22.10.2003 JP
2003-371111 30.10.2003 JP
2004-100206 30.03.2004 JP
Titre (EN) RESIST COMPOSITION FOR ELECTRON BEAM OR EUV
(FR) COMPOSITION DE RESINE PHOTOSENSIBLE POUR FAISCEAU ELECTRONIQUE OU LUMIERE ULTRAVIOLETTE EXTREME
(JA) 電子線又はEUV用レジスト組成物
Abrégé : front page image
(EN)Disclosed are a resist composition and a method for forming a resist pattern which enable to prevent contamination in the apparatus during a lithography process using an electron beam or an EUV (extreme ultraviolet light). In this method, an organic solvent mainly containing one or more materials selected from propylene glycol monomethyl ether (PGME), methyl amyl ketone (MAK), butyl acetate (BuOAc), and 3-methyl methoxy propionate (MMP) is used as the resist solvent.
(FR)L'invention concerne une composition de résine photosensible et un procédé permettant de former un motif de résine photosensible capable d'empêcher une contamination dans un appareil pendant un processus de lithographie à l'aide d'un faisceau électronique ou une EUV (lumière électronique extrême). Dans ce procédé, on utilise, comme solvant de résine photosensible, un solvant inorganique contenant essentiellement une ou plusieurs matière(s) sélectionnée(s) dans le groupe formé par propylène glycol monoéthyl éther (PGME), méthyl amine cétone (MAK), butyl acétate (BuOAc) et 3-methyl méthoxy propionate (MMP).
(JA) 電子線またはEUV(極紫外光)によるリソグラフィプロセスにおいて、装置内の汚染を防ぐことができるレジスト組成物及びレジストパターン形成方法が提供される。この方法は、 プロピレングリコールモノメチルエーテル(PGME)、メチルアミルケトン(MAK)、酢酸ブチル(BuOAc)、3−メチルメトキシプロピオネート(MMP)から選ばれる1種以上を主成分として含む有機溶剤をレジスト溶媒に用いる。  
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)