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1. (WO2005040747) CAPTEUR DE PRESSION A SEMI-CONDUCTEURS ET PROCEDE DE PRODUCTION CORRESPONDANT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2005/040747    N° de la demande internationale :    PCT/EP2004/011712
Date de publication : 06.05.2005 Date de dépôt international : 18.10.2004
CIB :
G01L 9/00 (2006.01)
Déposants : ENDRESS+HAUSER GMBH+CO. KG [DE/DE]; Hauptstrasse 1, 79689 Maulburg (DE) (Tous Sauf US).
BURCZYK, Dietfried [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
SCHWABE, Friedrich [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
BARTUCH, Herbert [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
SCHROETER, Thomas [DE/DE]; (DE) (US Seulement)
Inventeurs : BURCZYK, Dietfried; (DE).
SCHWABE, Friedrich; (DE).
BARTUCH, Herbert; (DE).
SCHROETER, Thomas; (DE)
Mandataire : ANDRES, Angelika; Endress + Hauser (DE) Holding GmbH, PatServe, Colmarer Strasse 6, 79576 Weil am Rhein (DE)
Données relatives à la priorité :
103 49 540.1 22.10.2003 DE
Titre (DE) HALBLEITERDRUCKSENSOR UND VERFAHREN ZU SEINER HERSTELLUNG
(EN) SEMICONDUCTOR PRESSURE SENSOR AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME
(FR) CAPTEUR DE PRESSION A SEMI-CONDUCTEURS ET PROCEDE DE PRODUCTION CORRESPONDANT
Abrégé : front page image
(DE)Ein Herstellungsverfahren für Halbleiterdrucksensoren umfasst: Bereitstellen eines Gegenkörperwafers und eines Entkopplungskörperwafers, wobei der Gegenkörperwafer eine erste Fügefläche aufweist, die mit einer zweiten Fügefläche des Entkopplungskörperswafers zu fügen ist; Erzeugen einer Vielzahl von Vorsprüngen in der ersten und/oder der zweiten Fügefläche durch Entfernen des die Vorsprünge umgebenden Materials; Fügen der ersten und der zweiten Fügefläche; und Vereinzeln der Halbleiterdrucksensoren. Bei dem Fügen der ersten und der zweiten Fügefläche, werden die Vorsprünge einer der beiden Fügeflächen mit der gegenüberliegenden Fügefläche gefügt. Zwei Si-Wafer können durch Fusionsbonden bei 1000°C gefügt werden. Optional kann noch eine Abschirmung bzw. ein Guarding aufgebracht werden. Hierzu werden zunächst Vereinzelungsschnitte bis zu einer Tiefe geführt bis zu der das Guarding reichen soll. Anschliessend werden eine isolierende SiO2-Schicht und eine Si-Schicht auf die Oberfläche des Membrankörperwafers und die freigelegten Seitenflächen der Halbleiterdrucksensoren aufgebracht. Abschliessend werden die verbleibenden Verbindungen zwischen den Halbleiterdrucksensoren durchtrennt.
(EN)The invention relates to a method for producing a semiconductor sensor, comprising the steps of providing a counter-base wafer and a decoupling-base wafer, whereby the counter-base waver has a first contact surface that is to be joined to a second contact surface of the decoupling-base wafer; generating a plurality of projections in the first and/or the second contact surface by removing the material surrounding the projections; joining the first and the second contact surface; and subdividing the semiconductor pressure sensors. When joining the first and second contact surfaces the projections of one of the two contact surfaces are joined with the opposite contact surface. Two Si wafers can be joined at 1000 °C by fusion bonding. Optionally, a screen or guarding element can be applied. For this purpose, the steps of subdivision are carried out to a depth down to which the guarding element is supposed to reach. An insulating SiO2 layer and an Si layer are applied to the surface of the membrane base waver and the exposed lateral faces of the semiconductor pressure sensors. The remaining connections between the semiconductor pressure sensors are finally severed.
(FR)L'invention concerne un procédé de production de capteurs de pression à semi-conducteurs, comprenant les étapes suivantes : préparer une plaquette de corps antagoniste et une plaquette de corps de découplage, la plaquette de corps antagoniste présentant une première surface de jonction, à assembler à une seconde surface de jonction de la plaquette de corps de découplage ; produire une pluralité de parties saillantes dans la première et/ou dans la seconde surface de jonction, par élimination du matériau entourant les parties saillantes ; assembler la première et la seconde surface de jonction ; et séparer les capteurs de pression à semi-conducteurs. Lors de l'assemblage de la première et de la seconde surface de jonction, les parties saillantes d'une des deux surfaces de jonction est assemblée à la surface de jonction opposée. Deux plaquettes de silicium peuvent être assemblées par métallisation par fusion, à 1.000 °C. Il est possible, à titre facultatif, d'appliquer un blindage ou une protection. A cet effet, dans un premier temps, des coupes de séparation sont pratiquées jusqu'à la profondeur à laquelle la protection doit parvenir. Une couche de SiO2 isolante et une couche de Si sont ensuite appliquées sur la surface de la plaquette du corps membranaire et sur les surfaces latérales dégagées des capteurs de pression à semi-conducteurs. Pour finir, les connexions restantes entre les capteurs de pression à semi-conducteurs sont séparées.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : allemand (DE)
Langue de dépôt : allemand (DE)