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1. (WO2005040044) PROCEDE D'ELABORATION DE POUDRES DE MOO2, PRODUITS A BASE DE CES POUDRES, DEPOT DE FILMS MINCES DE MOO2, ET PROCEDES RELATIFS A L'UTILISATION DE TELS MATERIAUX
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2005/040044    N° de la demande internationale :    PCT/US2004/020932
Date de publication : 06.05.2005 Date de dépôt international : 29.06.2004
CIB :
C01G 39/02 (2006.01), H01B 1/08 (2006.01), H05B 33/14 (2006.01)
Déposants : H.C. STARCK INC. [US/US]; 45 Industrial Place, Newton, MA 02461 (US) (Tous Sauf US).
McHUGH, Lawrence, F. [US/US]; (US) (US Seulement).
KUMAR, Prabhat [US/US]; (US) (US Seulement).
MEENDERING, David [US/US]; (US) (US Seulement).
WU, Richard [US/US]; (US) (US Seulement).
WOETTING, Gerhard [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
NICHOLSON, Richard [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : McHUGH, Lawrence, F.; (US).
KUMAR, Prabhat; (US).
MEENDERING, David; (US).
WU, Richard; (US).
WOETTING, Gerhard; (DE).
NICHOLSON, Richard; (US)
Mandataire : GIL, Joseph, C.; Bayer Material Science LLC, 100 Bayer Road, Pittsburgh, PA 15205-9741 (US)
Données relatives à la priorité :
60/489,217 22.07.2003 US
60/540,911 30.01.2004 US
Titre (EN) METHOD OF MAKING HIGH-PURITY (>99%) M002 POWDERS, PRODUCTS MADE FROM M002 POWDERS, DEPOSITION OF M002 THIN FILMS, AND METHODS OF USING SUCH MATERIALS
(FR) PROCEDE D'ELABORATION DE POUDRES DE MOO2, PRODUITS A BASE DE CES POUDRES, DEPOT DE FILMS MINCES DE MOO2, ET PROCEDES RELATIFS A L'UTILISATION DE TELS MATERIAUX
Abrégé : front page image
(EN)The invention relates to high purity MoO2 powder by reduction of ammonium molybdate or molybdenum trioxide using hydrogen as the reducing agent in a rotary or boat furnace. Consolidation of the powder by press/sintering, hot pressing, and/or HIP is used to make discs, slabs, or plates, which are used as sputtering targets. The MoO2 disc, slab, or plate form is sputtered on a substrate using a suitable sputtering method or other physical means to provide a thin film having a desired film thickness. The thin films have properties such as electrical, optical, surface roughness, and uniformity comparable or superior to those of indium-tin oxide (ITO) and zinc-doped ITO in terms of transparency, conductivity, work function, uniformity, and surface roughness. The MoO2 and MoO2 containing thin films can be used in organic light-emitting diodes (OLED), liquid crystal display (LCD), plasma display panel (PDP), field emission display (FED), thin film solar cell, low resistivity ohmic contacts, and other electronic and semiconductor devices.
(FR)L'invention concerne une poudre de MoO2 résultant de la réduction de molybdate d'ammonium ou de trioxyde de molybdène. L'agent réducteur est hydrogène, et l'opération se déroule dans un four rotatif ou un four de frittage. La consolidation de la poudre par compression/frittage, compression à chaud, et/ou compression isostatique à chaud permet de réaliser des disques, des dalles ou des plaques, que l'on utilise comme cibles de pulvérisation. On pulvérise ainsi la forme de disque, dalle ou plaque de MoO2 sur un substrat en utilisant une technique de pulvérisation appropriée ou d'autres moyens physiques pour produire un film mince ayant l'épaisseur souhaitée. Les films minces ont des propriétés électriques, optiques, de rugosité de surface et d'uniformité comparables ou supérieures à celles de l'oxyde d'indium-étain (ITO) et de l'ITO dopé au zinc en termes de transparence, de conductivité, de fonction de travail, d'uniformité et de rugosité de surface. Les films minces en MoO2 et contenant du MoO2 peuvent être utilisés dans les produits suivants : diodes organiques électroluminescentes (OLED), afficheurs à cristaux liquides (LCD), écrans à plasma (PDP), écrans à émission de champ (FED), batteries solaires à film mince, contacts ohmiques à faible résistivité, et autres dispositifs électroniques et à semiconducteurs
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)