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1. (WO2005018001) DISPOSITIF A SEMI-CONDUCTEURS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2005/018001    N° de la demande internationale :    PCT/JP2004/007264
Date de publication : 24.02.2005 Date de dépôt international : 27.05.2004
CIB :
H01L 23/495 (2006.01), H01L 25/07 (2006.01)
Déposants : SANKEN ELECTRIC CO., LTD. [JP/JP]; 6-3, Kitano 3-chome Niiza-shi, Saitama 3528666 (JP) (Tous Sauf US).
KANAZAWA, Masaki [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : KANAZAWA, Masaki; (JP)
Mandataire : SHIMIZU, Keiichi; Kouwa Patent Office, 3rd Floor YK Nakameguro Building 1-5, Nakameguro 3-chome Meguro-ku, Tokyo 1530061 (JP)
Données relatives à la priorité :
2003-294208 18.08.2003 JP
Titre (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF A SEMI-CONDUCTEURS
(JA) 半導体装置
Abrégé : front page image
(EN)A semiconductor device comprising a support plate (5) having a heat dispersion characteristic; and first and second semiconductor elements (1,2) sequentially deposited and fixed over the support plate (5) and caused to perform alternate switching operations. Sequentially depositing and fixing the first and second semiconductor elements (1,2) over the support plate (5) can reduce the footprint on the support plate (5) and improve the integration degree. Causing the first and second semiconductor elements (1,2) to perform alternate switching operations can reduce the heating values of the first and second semiconductor elements (1,2). Thus, a plurality of semiconductor elements of a semiconductor device can be deposited on a small area and the semiconductor device can be caused to operate with a desirable heat dispersion characteristic.
(FR)Cette invention concerne un dispositif à semi-conducteurs comprenant une plaque de support (5) présentant une propriété de dissipation de la chaleur ; et un premier et un second élément semi-conducteur (1, 2) qui sont disposés et fixés séquentiellement sur la plaque de support (5) et qui sont incités à effectuer des opérations de commutations alternées. Le fait de disposer et de fixer séquentiellement le premier et le second élément semi-conducteur (1, 2) sur la plaque de support (5) permet de réduire l'encombrement sur la plaque de support (5) et d'améliorer le degré d'intégration. Le fait d'inciter le premier et le second élément semi-conducteur (1, 2) à effectuer des opérations de commutation alternées peut réduire les valeurs de chauffage des premier et second éléments semi-conducteurs (1, 2). Ainsi, une pluralité d'éléments semi-conducteurs peut être disposée sur une petite surface et le dispositif à semi-conducteurs peut être incité à fonctionner avec une propriété de dissipation de la chaleur souhaitée.
(JA) 放熱性を有する支持板(5)と、支持板(5)上に順次積層されて固着され且つ交互にスイッチング動作される第1の半導体素子(1)及び第2の半導体素子(2)とを半導体装置に設ける。第1の半導体素子(1)と第2の半導体素子(2)とを順次支持板(5)上に積層して固着すると、支持板(5)の占有面積を減少しつつ集積度を向上でき、第1の半導体素子(1)及び第2の半導体素子(2)とを交互にスイッチング動作させて、第1の半導体素子(1)及び第2の半導体素子(2)の発生熱量を抑制することができる。半導体装置の複数の半導体素子を小さい面積に積層して、半導体装置を良好な放熱特性で作動できる。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)